基于谐振腔效应的近紫外垂直结构LED光萃取效率优化

发布时间：2017-09-20 02:04

  本文关键词：基于谐振腔效应的近紫外垂直结构LED光萃取效率优化

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【摘要】：利用有限时域差分法研究近紫外垂直结构LED的光萃取效率的影响因素。结果显示,LED的光萃取效率随p-GaN层厚度的变化呈周期性振荡变化,在极大值点处的光萃取效率是极小值点处的4.8倍。进一步地,对上述振荡极大值点和极小值点的n-GaN层厚度和表面光子晶体结构进行优化,优化的光萃取效率分别达到35.3%和24.7%,比优化前各提高了37.9%和280%。因此,合理的外延层和光子晶体结构可有效提高近紫外垂直结构LED的光萃取效率,这对实验制备高效近紫外垂直结构LED芯片具有一定的指导作用。
【作者单位】： 华南理工大学广东省光电工程技术研究开发中心;华南理工大学物理与光电学院;华南理工大学电子与信息学院;
【关键词】： 发光二极管 光萃取效率 近紫外 光子晶体 谐振腔效应
【基金】：“863”国家高技术发展研究计划(2014AA032609) 国家自然科学基金(61404050,61504044) 广东省战略性新兴产业专项资金(2012A080302003) 广东省重大科技专项(2014B010119002)资助项目
【分类号】：TN312.8
【正文快照】： 1 引言 氮化镓基发光二极管(Light-emitting diode,LED)具有功耗低、寿命长、可靠性好等优点而被广泛应用于显示,照明以及固化等领域[1-4]。一般地,紫外LED是指发光波长小于400 nm的LED,而将发光波长在320~400 nm范围内的LED称为近紫外(Ultraviolet-A,UV-A)LED。与传统的紫外

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本文编号：885233