三维功率MOSFET器件漏极持续电流分析方法

发布时间：2017-09-24 09:09

  本文关键词：三维功率MOSFET器件漏极持续电流分析方法

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【摘要】：二维功率MOSFET器件的漏极持续电流是一个受限于封装形式和芯片设计的极限参数,传统分析方法是通过器件的最大耗散功率对其进行评估。基于三维集成技术的功率MOSFET器件,散热路径热阻难于精确确定,故提出一种针对三维集成功率MOSFET器件,以晶格自加热效应为基础的漏极持续电流分析方法,并以一颗开关工作状态下的100 V功率VDMOS器件为研究对象,在正向设计阶段分析了功率VDMOS器件漏极持续电流的导通偏置条件。最后通过流片结果验证了该方法的可行性。
【作者单位】： 贵州大学大数据与信息工程学院;
【关键词】： 漏极持续电流 三维集成 自加热效应 导通偏置条件
【基金】：国家自然科学基金地区科学基金项目(61464002) 贵州省科技合作项目(黔科合LH字[2015]7636) 贵州省科学技术基金(黔科合J字[2014]2066号)
【分类号】：TN386
【正文快照】： 功率MOSFET器件作为电力电子设备中的主要元件之一,广泛地应用于各种高速开关电路、开关电源、高功率放大电路、电力转换电路、电机变频调速、控制电路与功率负载之间的开关电路等[1]。目前,高可靠功率MOSFET器件的制作工艺仍然以平面集成工艺为主,器件面积将随着电流容量的增

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本文编号：910539