石墨烯-GaN肖特基紫外探测器
本文关键词:石墨烯-GaN肖特基紫外探测器
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【摘要】:报道了使用石墨烯作为阳极材料的GaN肖特基型紫外探测器。介绍了光敏面为1mm×1mm的新型肖特基紫外探测器的制备过程。并对器件进行了响应光谱、I-V特性测试。器件的响应光谱较为平坦,峰值响应度为0.175A/W;通过对石墨烯进行化学修饰,使峰值响应度增加到0.23A/W。并根据热电子发射理论,计算出了器件掺杂前后的肖特基势垒高度分别为0.477eV和0.882eV,验证了器件性能的提高主要原因是石墨烯功函数的增加。
【作者单位】: 北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室;中国科学院半导体研究所;
【关键词】: GaN 肖特基 紫外探测器 石墨烯 响应光谱
【基金】:国家自然科学基金项目(61376049)
【分类号】:TN23
【正文快照】: 0引言紫外探测技术在聚合材料树脂固化、水净化处理、火焰探测、生物效应、环境污染监视以及紫外光存储等方面有广泛的应用[1]。在紫外光电探测器件方面,GaN材料有着诸多优势:不吸收可见光、抗辐射能力强、电子饱和速度高、热稳定性好等[2]。GaN紫外探测器目前主要分为以下几
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,本文编号:910735
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