用于脉冲功率领域的碳化硅四层器件性能概述

发布时间：2017-09-25 13:23

  本文关键词：用于脉冲功率领域的碳化硅四层器件性能概述

  更多相关文章： SiC SGTO SiC ETO SiC RSD 碳化硅 脉冲功率

【摘要】：综合论述了基于碳化硅(SiC)材料制备的四层器件在脉冲功率领域的应用现状或前景。调研了SiC超级门极可关断晶闸管(super gate turn-off thyristor,SGTO)的研究进展,总结了近年来获得的实验结果。实验研究了SiC发射极可关断晶闸管(emitter turn-off thyristor,ETO)的开通过程。结果表明,开通dI/dt可以在一定条件下受控,以适应脉冲功率或电力电子变换的不同需求,实验获得最大功率密度为329kW·cm~(-2)。建立了SiC反向开关晶体管(reversely switched dynistor,RSD)二维数值模型,论证了开通原理的可行性,热电耦合模型以SiC本征温度为依据据,SiC RSD的功率密度达MW·cm~(-2)量级。
【作者单位】： 华中科技大学光学与电子信息学院;
【关键词】： SiC SGTO SiC ETO SiC RSD 碳化硅 脉冲功率
【基金】：国家自然科学基金资助项目(51377069) 中国工程物理研究院脉冲功率科学与技术重点实验室基金项目(PPLF2013PZ02) 中国国家留学资金委资助项目(201308420123)
【分类号】：TN34
【正文快照】： 具有pnpn四层类晶闸管结构的器件,由于漂移层的电导调制作用,可以在大电流和高电压下工作,适合脉冲功率应用。这类纯双极型器件具有高抗浪涌能力,相比单极型的功率MOSFET、混合型的绝缘栅双极晶体管(insulated gate bipolar tran-sistor,IGBT)等功率器件具有更低的损耗和更坚

【参考文献】

中国期刊全文数据库 前2条

1 王海洋;何小平;周竞之;陈维青;郭帆;谢霖q，

本文编号：917589