带电粒子注入硅的辐照损伤模拟研究

发布时间：2017-09-26 03:20

  本文关键词：带电粒子注入硅的辐照损伤模拟研究

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【摘要】：利用SRIM软件计算模拟不同质量的带电粒子射入硅的射程、能量损失、硅损伤情况。结果表明,入射带电粒子在硅中分布的最大浓度位置位于其投影射程处,且随粒子质量的增加而减少;入射带电粒子的质量与硅的质量比近似小于1.8时,入射带电粒子损失给电子的能量与反冲硅原子损失给电子的能量之比1,否则小于1;电离能损随入射带电粒子质量的增加而减少;声子能损随入射带电粒子质量的增加而增加;入射带电粒子在硅中产生的移位和空穴随入射离子质量的增加而增加较快,而替位碰撞增加缓慢。
【作者单位】： 南华大学核科学技术学院;
【关键词】： 带电粒子 辐照损伤 能量损失 硅
【基金】：湖南省教育厅科学研究资助项目(13C811)
【分类号】：TN304.12
【正文快照】： 0引言晶体硅作为集成电路最重要的衬底材料及半导体探测器的探测介质,其质量对集成电路芯片各项性能和半导体探测器输出信号都有着直接的影响。随着航空、航天、核电等领域的高速发展,越来越多的半导体器件和集成电路都需要在辐射环境中工作,其总会受到辐射的影响,可能会极大

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本文编号：921166