柔性环境应变对InGaAsP量子阱材料增益的影响

发布时间：2017-09-26 05:04

  本文关键词：柔性环境应变对InGaAsP量子阱材料增益的影响

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【摘要】：本文采用k×p方法,从能带结构出发,研究了柔性环境应变对于InGaAsP量子阱增益的影响.计算出在不同注入载流子浓度情况下,垂直(z)方向和水平(x)方向应变对于不同组分InGaAsP量子阱TE,TM模增益谱的影响,发现z方向压应变的主要作用是使TE模的增益峰位置发生蓝移,并提高TM模的增益峰的数值;x方向压应变使TE增益峰位置发生红移、TM模增益峰位置发生蓝移,并降低TM模增益峰的数值.而z方向张应变的主要作用是使TE模的增益峰位置发生红移,并降低TM模的增益峰的数值;x方向张应变使TE增益峰位置发生蓝移、TM模增益峰位置发生红移,并提高TM模增益峰的数值.进一步得出为保持InGaAsP量子阱材料增益的波动变化量不超过30%、增益峰位置移动量不超过20 nm,柔性环境对其施加的应变应控制在3‰以内.
【作者单位】： 清华大学电子工程系信息科学与技术国家实验室;
【关键词】： 应变 InGaAsP量子阱 增益谱
【基金】：国家重点基础研究发展计划(编号:2015CB351900) 国家高技术研究发展计划(编号:2015AA017101) 国家自然科学基金(批准号:61574082,51561165012,61176015,61176059,61210014,61321004,61307024) 清华大学自主科研计划(编号:20131089364)资助项目
【分类号】：O471.1
【正文快照】： 基于转印的柔性无机电子器件兼有柔性衬底可引入新的技术应用可能性,但是目前尚未有人研究延展、性能与无机电子器件相媲美的优势,引起了人In Ga As P材料在环境应变下性能的变化.本文利用们广泛的研究兴趣[1 4].但是无机电子器件在转印至k?p方法,首先研究了环境应变对于In G

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本文编号：921592