基于硅与锗材料的改进集成雪崩光电二极管（英文）

发布时间：2017-09-26 08:19

  本文关键词：基于硅与锗材料的改进集成雪崩光电二极管（英文）

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【摘要】：提出了一种改进的集成雪崩光电二极管器件结构,由硅和锗材料的雪崩光电二极管结构集成,分别包含吸收区、电荷区和倍增区结构。该改进雪崩光电二极管对光线波长的探测范围扩展到200~1 400 nm。对雪崩光电二极管的关键参数,如器件内电场分布、暗电流、光电流、增益和光响应等进行了分析。仿真结果表明改进雪崩光电二极管的击穿电压为145 V。当阴极偏置电压为140 V时,该器件对900 nm波长光线的峰值响应可以达到22 A/W。在器件击穿之前,400 nm波长光线的电流增益可以对达到50。对改进雪崩光电二极管器件的工艺流程也进行了讨论。
【作者单位】： 哈尔滨工程大学信息与通信工程学院;同方威视技术股份有限公司;中国电子科技集团公司第四十九研究所;
【关键词】： 雪崩光电二极管 波长范围 器件仿真
【基金】：黑龙江省自然科学基金(F201413) 中央高校基本科研业务费专项资金(HEUCF130818)
【分类号】：TN312.7
【正文快照】： 0 IntroductionThe explosive spread of the internet has increasedthe demand for highly sensitive optical detectors forhigh bit rate optical fiber communication systems[1-2].The avalanche photodiode(APD)is now findingacceptance in an increasing range of ap

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本文编号：922462