沟槽栅MOSFET器件SPICE模型（英文）

发布时间：2017-09-30 04:37

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【摘要】：针对沟槽栅纵向双扩散场效应晶体管(trench-gate MOSFET),提出了一种新型的SPICE模型.通过对沟槽栅MOSFET器件的物理特性及其内在结构分析,建立了漂移区电阻模型.为了准确模拟器件的动态特性,对栅源电容、栅漏电容及源漏电容分别建立了模型.考虑了器件的自热效应、温度效应及击穿特性,建立了自热模型和击穿电压模型,并对模型温度参数进行了修正.通过器件测试结果验证,各参数测试结果和对应模型的仿真结果误差均小于5%.因此,该模型能准确地反映器件的静态和动态特性.
【作者单位】： 东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心;
【关键词】： 沟槽栅MOSFET SPICE模型 漂移区电阻模型 动态模型
【基金】：The National Natural Science Foundation of China(No.61604038) China Postdoctoral Science Foundation(No.2015M580376) the Natural Science Foundation of Jiangsu Province(No.BK20160691) Jiangsu Postdoctoral Science Foundation(No.1501010A)
【分类号】：TN386
【正文快照】： voltages up to 100 V due to its low on-resistance and low gate charge[1-3].Therefore,much attention has been focused on the development of the trench-gate M OS-FET[4-5].With the w ide application of the trench-gate M OSFET device,an accurate and efficien

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本文编号：946223