1200V碳化硅MOSFET设计

发布时间：2017-09-30 05:02

  本文关键词：1200V碳化硅MOSFET设计

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【摘要】：设计了一种阻断电压大于1 200V的碳化硅(SiC)MOSFET器件。采用有限元仿真的方法对器件的终端电场分布进行了优化。器件采用12μm厚、掺杂浓度为6e15cm-3的N型低掺杂区。终端保护结构采用保护环结构。栅压20V、漏压2V时,导通电流大于13A,击穿电压达1 900V。
【作者单位】： 宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室南京电子器件研究所;
【关键词】： H型碳化硅 金属氧化物半导体场效应晶体管 终端保护 界面态
【基金】：国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2014AA052401)
【分类号】：TN386
【正文快照】： 引言目前Si IGBT在电力电子系统中得到了广泛应用,但受材料物理特性的限制,Si IGBT的性能提升受到了很大限制。SiC材料禁带宽度大、击穿电场高、饱和漂移速度和热导率大,这些材料优越性能使其成为制作高功率、高频、耐高温、抗辐射器件的理想材料。SiC电力电子器件在阻断性能

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本文编号：946246