SU-8光刻胶应变分布光学全场检测方法

发布时间：2017-09-30 05:32

  本文关键词：SU-8光刻胶应变分布光学全场检测方法

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【摘要】：由于SU-8光刻胶的内应力将会影响高深宽比结构的全金属光栅的制作质量,本文针对近年来SU-8光刻胶应力测量困难的情况,提出了一种基于激光剪切散斑干涉技术的SU-8光刻胶应变分布测量的新方法。该方法通过对被测胶体加载前后两幅干涉图像的处理,直接得到被测胶体结构的全场应变分布情况,由胶体的应变变形数据即可反映出内应力的变化和分布趋势。同时使用ANSYS有限元分析软件对同一被测胶体进行应变仿真模拟研究,获得胶体结构的变形场仿真数据。组建了实验系统,进行了实验验证,结果表明:实际测量变形量约为1.189μm,仿真的最大变形量为1.088μm,测量误差在允许范围内,且测量的形变趋势与仿真模拟结果相一致,表明激光剪切散斑干涉技术可应用于SU-8光刻胶的应变分布全场无损检测。
【作者单位】： 合肥工业大学仪器科学与光电工程学院;
【关键词】： 剪切散斑干涉 SU-光刻胶 应力分布 应变 仿真模拟
【基金】：国家自然科学基金资助项目(No.51375136) 中航产学研专项资助项目(No.CXY2013HFGD22)~~
【分类号】：TN305.7
【正文快照】： 1引言SU-8光刻胶是一种树脂型的高聚合物,因为其具有良好的机械、物理、力学、光学等性能,从而成为制作高深宽比结构的全金属光栅的首选胶[1]。但是,在光刻工艺中,SU-8胶会产生较大的内应力,从而导致SU-8胶胶层出现裂纹或从基片上脱落,破坏其图形结构的质量和稳定性。因此,SU-

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