一种沟槽型场限环VDMOSFET终端结构

发布时间：2017-10-04 04:00

  本文关键词：一种沟槽型场限环VDMOSFET终端结构

  更多相关文章： 场限环 沟槽终端 击穿电压

【摘要】：场限环结构以其简单的工艺和较高的效率,在垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管终端结构中得到广泛应用,但其性能的提高也有限制。沟槽型终端结构对刻蚀工艺要求较高,并未在实际生产中得到大量应用。将场限环终端结构与沟槽终端结构相结合,设计了一种沟槽型场限环终端,在149.7μm的有效终端长度上实现了708V的仿真击穿电压。此结构可以得到较大的结深,硅体内部高电场区距离表面较远,硅表面电场仅为1.83E5V/cm,具有较高的可靠性。同时,工艺中只增加了沟槽刻蚀和斜离子里注入,没有增加额外的掩膜。
【作者单位】： 西南交通大学微电子研究所;
【关键词】： 场限环 沟槽终端 击穿电压
【基金】：国家自然科学基金资助项目(61271090;61531016) 四川省科技支撑计划项目(2015GZ0103)
【分类号】：TN386
【正文快照】： 1引言通常,垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管(Vertical Double-diffused Metal-Oxide-SemiconductorField Transistor,VDMOS)由元胞和终端组成。终端结构设计的目的是为了减小局部电场、提高器件表面击穿电压及可靠性,它决定了器件整体的耐压特性。终端结构通常可以分为两大，

本文编号：968459