缓解电路NBTI效应的改进门替换技术

发布时间：2017-10-05 01:08

  本文关键词：缓解电路NBTI效应的改进门替换技术

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【摘要】：纳米工艺水平下,负偏置温度不稳定性(negative bias temperature instability,NBTI)成为影响集成电路可靠性的关键性因素。NBTI效应会导致晶体管阈值电压增加,老化加剧,最终导致电路时序违规。为了缓解电路的NBTI效应,引入考虑门的时延关键性的权值识别关键门,通过比较关键门的不同扇入门替换后的时延增量,得到引入额外时延相对较小的双输入的需要替换的门,最后进行门替换。对基于45 nm晶体管工艺的ISCAS85基准电路实验结果显示,在电路时序余量为5%时,应用本文改进的门替换方法电路时延改善率为41.23%,而面积增加率和门替换率分别为3.17%和8.99%,明显优于传统门替换方法。
【作者单位】： 合肥工业大学电子科学与应用物理学院;
【关键词】： 负偏置温度不稳定性 时序违规 时延关键性 关键门 门替换
【基金】：国家自然科学基金(61371025,61274036,61574052)资助项目
【分类号】：TN401
【正文快照】： 1引言随着CMOS器件工艺和计算机技术的发展,芯片集成度越来越高[1-3],各种高性能的电力电子产品不断涌现[4],集成电路可靠性成为电路设计的重要问题。其中,晶体管老化是影响集成电路可靠性的重要因素,而负偏置温度不稳定性是影响晶体管老化的关键性因素,因此NBTI效应成为提高，

本文编号：973886