二维硒化钼薄膜的研究进展

发布时间：2017-10-05 03:09

  本文关键词：二维硒化钼薄膜的研究进展

  更多相关文章： MoSe 直接带隙半导体 二维纳米材料 化学气相沉积(CVD)法 层状结构 光学二次谐波

【摘要】：少数层MoSe_2材料作为一种新型半导体材料,具有较高的光电转换效率。综述了单层或数层MoSe_2二维材料的特性,简述了MoSe_2二维纳米材料的主要制备方法,包括机械剥离法、化学气相沉积(CVD)法和分子束外延(MBE)法。MoSe_2材料可形成直接带隙半导体材料,MoSe_2场效应管应用了MoSe_2材料良好的电学特性,由于MoSe_2材料具有优异的光学特性,因此可用于制作二次谐波器。介绍了MoSe_2二维材料中光二次谐波的产生及相关特性,并列举了MoSe_2二维材料在晶体管、光学探测器方面现有的研究及应用。最后指出,提升制备效率是使MoSe_2材料得到广泛应用的必备条件。
【作者单位】： 苏州科技学院数理学院;
【关键词】： MoSe 直接带隙半导体 二维纳米材料 化学气相沉积(CVD)法 层状结构 光学二次谐波
【基金】：国家自然科学基金资助项目(31570515) 苏州市科技计划项目(SYN201511)
【分类号】：TN304.2
【正文快照】： 0引言二维过渡金属硫族化合物(MX2,M为过渡金属元素,X为硫族元素),包含MoS2,MoSe2,WS2和WSe2等构成的二维材料,其带隙宽度正好介于宽带隙半导体材料与石墨烯材料零带隙之间,不仅可以弥补石墨烯材料零带隙的不足,而且更符合未来半导体技术发展对半导体材料的要求。另外,过渡金

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