化学机械抛光技术军民融合发展及推广应用
本文关键词:化学机械抛光技术军民融合发展及推广应用
【摘要】:介绍了化学机械抛光设备的主要技术特点及功能,技术特点包括抛光盘制造及装配、抛光头压力控制、抛光液流量控制、抛光盘温度控制及晶片蜡粘与断电保护机构等;主要功能介绍了抛光头单独控制、自适应柔性承载器、外形及内部结构特点、人性化操作界面及自动控制程序等。说明了现阶段国内化学机械抛光设备的主要发展方向。
【作者单位】: 中国电子科技集团公司第四十五研究所;
【关键词】: 化学机械抛光设备 抛光盘 抛光头控制
【分类号】:TN305.2
【正文快照】: CMP(Chemical Mechanical Polishing,化学机械抛光)的基本原理是将晶片在研磨液存在的情况下相对于抛光垫接触旋转运动,并对其施加一定的压力,借助于机械磨削及化学腐蚀作用来完成其表面抛光。其中,抛光平台在电机的带动下以角速度ω转动,抛光垫粘在平台上。被抛光片通过真空
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