锗在吸收边附近的压力—折射率系数

发布时间：2017-10-05 08:06

  本文关键词：锗在吸收边附近的压力—折射率系数

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【摘要】：目前半导体锗在吸收边附近(1550 nm)的压力-折射率系数在实验和理论上并未研究清楚.本文通过测量在不同压力下镀在光纤端面的高结晶度锗薄膜的反射率,来计算得到锗在吸收边附近的压力-折射率系数.本文的实验结果显示,锗在吸收边附近出现反常色散现象,即折射率随能量变化呈正相关,并且其压力-折射率系数出现反常,为正值,这是由于多晶结构中的激子吸收所引起.通过引入描述激子色散的临界点模型,得到锗在吸收边附近的反常色散范围和压力-折射率系数呈正值的范围.本文的结果将有助于基于锗薄膜的通信C波段光学器件的研究.
【作者单位】： 武汉理工大学物理系;
【关键词】： 半导体 锗 折射率 压力
【基金】：国家自然科学基金(批准号:61177076) 中央高校基本科研业务费(批准号:WUT2016IA009)资助的课题~~
【分类号】：TN304.11
【正文快照】： 1引言 材料的折射率对理解各种材料的光学特性和电子结构提供了非常重要的信息.锗是很多光电器件和激光器中的重要组成材料.半导体锗的折射率在涉及超快现象的光学系统中是非常重要的表征参数,而锗的吸收边(0.8 eV或1550 nm)附近位于光纤通信C波段(1530—1565 nm),了解锗折射

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本文编号：975657