考虑单粒子多瞬态故障的数字电路失效概率评估

发布时间：2017-10-07 04:12

  本文关键词：考虑单粒子多瞬态故障的数字电路失效概率评估

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【摘要】：为了准确评估电路的失效概率,提出一种考虑单粒子多瞬态(SEMT)的数字电路失效概率评估方法.该方法通过解析电路门级网表提取SEMT故障位置对;使用双指数电流源模型模拟故障注入,通过SEMT脉冲复合模型将SEMT脉冲转化为复合的SET脉冲并沿数据通路向下游传播;在脉冲传播过程中,使用SEMT脉冲屏蔽模型评估逻辑屏蔽、电气屏蔽与时窗屏蔽效应,使用电路失效概率计算方法得到电路总体失效概率.实验结果表明,与同类方法相比,文中方法计算结果更为精确;与基于统计的蒙特卡罗方法相比,该方法的相对误差仅为2%,能够有效地指导集成电路容错设计.
【作者单位】： 合肥工业大学电子科学与应用物理学院;合肥工业大学计算机与信息学院;
【关键词】： 失效概率 软错误 单粒子多瞬态 信号概率
【基金】：国家自然科学基金(61274036,61574052,61371025,61106038) 安徽省高校省级自然科学研究重大项目(KJ2014ZD12)
【分类号】：TN79
【正文快照】： 集成电路工艺水平的不断进步,对由空间辐射效应引发的集成电路可靠性提出巨大挑战[1].软错误是由粒子辐射等因素导致的电路逻辑状态或存贮信息发生错误的现象.纳米工艺下,软错误对电路可靠性造成严重影响[2].因此在集成电路设计阶段对电路失效概率进行有效评估,能够为电路选择

【参考文献】

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【共引文献】

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本文编号：986828