可见光响应催化剂的开发及其海水体系中光催化降解有机物过程
【图文】:
目前半导体光催化材料的晶体能带理论是光催化领域公认的半导体材料光催逡逑化机理[28]。半导体光催化材料都具有能带结构,Ti02光催化半导体一般是由低逡逑能价带、高能导带、禁带组成能带结构,图1.1为Ti02的能带结构图。从图中逡逑可以看出,Ti02的价带主要是由0的2p和2s轨道杂化而成,导带主要是由Ti邋3d逡逑轨道组成。充满电子的低能价带(Valence邋band,VB)和空的高能导带(Conduction逡逑band,CB)的能量差值被称为禁带,用带隙能Eg来表示[29]。Ti02的禁带宽度在逡逑3.0-3.2eV0逡逑价S子逦能*逦能*逡逑P三逡逑s邋—逦Ti3d(ei)邋逦J)邋Ti3d(ej)逡逑d逦Ti3d(U|)二^)邋Ti3d(t2j)逡逑逦费米能级逦逡逑s邋—^a澹撸玻箦鍔:邋_2S逡逑分布卿(E)逡逑_被eA能级逦|⑩填充状态逡逑■未尲栛级I逦0未填~|逡逑图1.1.邋TK)::的能带结构图逡逑Fig.邋1.1邋Energy邋band邋structure邋of邋Ti02逡逑激发半导体波长需要满足公式1240邋/邋Eg,如锐钛矿相Ti02的禁带宽为3.2逡逑eV,即当Ti02光催化半导体受到小于等于387邋nm紫外光照射时,低能价带中充逡逑满的电子就会激发跃迁到高能导带,形成光生电子(e_),而价带失去电子形成逡逑光生空穴(h+)。在电场的作用下,e^h+分离并迁移到表面,,与Ti02附近物质逡逑发生氧化-还原反应
逑迁复合与分离是影响光催化活性的至关重要因素之一[3G]。逡逑图1.2为Ti02半导体材料的光催化反应机理。Ti02半导体材料悬浮于溶液逡逑时,当辐射光源能量大于或者等于Ti02半导体材料的带隙能时,就会产生光生逡逑电子一空穴对,在电场的作用下光生电子一空穴对沿着不同途径分离与复合。途逡逑径1为光生电子和空穴跃迁到催化剂表面,在催化剂表面复合,途径2为光生电逡逑子和空穴还没来得及跃迁到催化剂表面,就己经复合,这两种途径都是以热量的逡逑方式重新释放出来。途径3和途径4为光生电子一空穴对分离迁移到催化剂表面逡逑过程,是Ti02光催化剂产生活性物质的关键两步,途径3是对空穴的有效利用,逡逑空穴本身具有强氧化性,可以直接对污染物进行氧化分解,另外空穴与H20或逡逑0H—反应生成^OH自由基,AH具有很强的氧化性可以使污染物矿化成H20和逡逑C02
【学位授予单位】:浙江工商大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2018
【分类号】:TQ426;X55
【参考文献】
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本文编号:2621985
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