活性炭块诱发SiC晶须生长的研究

发布时间：2017-10-23 08:29

  本文关键词：活性炭块诱发SiC晶须生长的研究

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【摘要】：以含氢硅油为前驱体,选用3种不同的活性炭块(1cm×1cm×1cm)为基体,经交联、制粉、包埋,氩气保护下烧结制备SiC晶须(SiCw)。对含氢硅油的交联工艺进行了研究,以正交试验法研究交联温度、保温时间、催化剂含量、交联剂含量对含氢硅油交联程度的影响。结果表明,交联温度是影响含氢硅油交联度的主要因素;其次依次是保温时间、催化剂含量、交联剂含量。在不同基体的诱导研究中,石墨基体表面生成的晶须较平直,另外两种基体未见均匀分布且长直的SiC晶须生成。SiC晶须的产生是由基体的表面缺陷引发,较低温度下晶须头部液滴的存在说明其生长机制符合VLS机制。
【作者单位】： 华北理工大学材料科学与工程学院;河北省无机非金属材料重点实验室;华北理工大学建筑工程学院;
【关键词】： SiC晶须 含氢硅油 交联度 生长机制 正交试验法
【基金】：唐山市科技计划项目(14130272a) 华北理工大学大学生创新创业训练计划项目(X2015181) 河北省自然科学基金青年基金(E2016209327)
【分类号】：O784;TQ163.4
【正文快照】： 3华北理工大学建筑工程学院,唐山063009)陈e，

本文编号：1082401