一维二硫化钼纳米结构的可控制备及其性能的研究

发布时间：2017-11-02 16:02

  本文关键词：一维二硫化钼纳米结构的可控制备及其性能的研究

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【摘要】：MoS_2纳米材料在纳米科技领域已被广泛关注,这正是由于其在纳米器件技术应用上具有巨大的潜力。因此就需要解决两个主要问题:一是如何合成纳米材料,二是在应用上给予纳米结构的期望。因此我将讨论典型的合成方法和一些有希望的一维纳米材料的应用,对这一挑战,在纳米材料研究领域发表一些个人见解,以及个人对1D二硫化钼的研究。最后,在目前的纳米材料的基础上,我给一些在未来的研究方向上的个人观点。具体的研究工作如下:在SiO2/Si基板上我们能观察到,沿着气体流动方向上,通过化学气相沉积(CVD)法生长的二硫化钼纳米棒的常规形态演变。它可以归因于沿气体流动方向上的气态氧化钼的浓度梯度影响着二硫化钼晶体的平均生长速率。二硫化钼晶体的沉积随着氧化钼粉末的移近,所经历的常规形态变换和尺寸变化。它铺平了可控生长参数CVD法的发展道路,为调谐MoS_2纳米棒的形态演化开辟了新的道路。我们描述了使用化学气相沉积(CVD)单一步骤路线的方法合成二硫化钼纳米线。通过调整CVD生长参数,在水平方向上的SiO2/Si基底上二硫化钼纳米线可成功的合成。该二硫化钼纳米线具有约93 nm的宽以及高约402 nm的多层结构。可以观察到水平生长的二硫化钼纳米线具有良好的局部光致发光(PL)特性。成功的制造水平的MoS_2纳米线和突出的PL效果,在平面器件提供了潜在应用。
【关键词】：CVD方法 二硫化钼纳米棒/线 形貌 光学性能
【学位授予单位】：江西师范大学
【学位级别】：硕士
【学位授予年份】：2016
【分类号】：TQ136.12;TB383.1
【目录】：

• 摘要3-4
• Abstract4-6
• 第一章 绪论6-15
• 1.1 引言6-7
• 1.2 MoS_2纳米结构的应用研究进展7-8
• 1.2.1 光电器件的研究7-8
• 1.2.2 在传感器方面的应用8
• 1.3 MoS_2纳米结构的制备方法8-11
• 1.3.1 物理机械剥离法9
• 1.3.2 锂离子插层法9-10
• 1.3.3 热分解法10
• 1.3.4 化学气相沉积法10-11
• 1.4 一维纳米材料的应用11
• 1.5 本文章的研究思路和主要内容11-12
• 参考文献12-15
• 第二章 一维二硫化钼纳米材料的制备方法与结构表征15-21
• 2.1 一维二硫化钼纳米材料的制备方法15-16
• 2.2 一维二硫化钼纳米材料的表征方法16-20
• 2.2.1 光学显微镜(OM)16
• 2.2.2 原子力显微镜(AFM)16-18
• 2.2.3 X射线衍射(XRD)18
• 2.2.4 拉曼光谱仪18-20
• 参考文献20-21
• 第三章 水平生长的二硫化钼纳米线的制备及其性质21-28
• 3.1 引言21
• 3.2 实验21-22
• 3.3 结果与讨论22-24
• 3.4 本章小结24-26
• 参考文献26-28
• 第四章 二硫化钼纳米棒生长过程中的形貌演变28-36
• 4.1 引言28
• 4.2 实验28-29
• 4.3 结果与讨论29-33
• 4.4 本章小结33-34
• 参考文献34-36
• 结论36-37
• 致谢37-38
• 在读期间公开发表论文（著）及科研情况38

【参考文献】

中国期刊全文数据库 前1条

1 汤鹏;肖坚坚;郑超;王石;陈润锋;;类石墨烯二硫化钼及其在光电子器件上的应用[J];物理化学学报;2013年04期

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本文编号：1132227