硅酸盐掺杂对AgO正极材料影响的研究

发布时间：2017-11-19 20:25

  本文关键词：硅酸盐掺杂对AgO正极材料影响的研究

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【摘要】：利用液相沉淀法制备高纯度片状结构的AgO正极材料,通过物理掺杂的方法制备不同硅酸盐含量的AgO材料,并对其进行物性表征及电化学性能测试。利用碘量法分析样品的纯度,XRD研究表明随着含量的增加,硅酸盐的图谱更加明显。热重分析掺杂后的样品热分解温度无变化,第一个分解温度仍在210℃左右。在常温下测试其电化学性能,在4C恒流放电下,掺杂硅酸盐都有一个压降过程,其中质量分数约为12%的AgO样品的电压降低到0.2V。同时,老化试验测试表明,掺杂一定量的硅酸盐可以降低AgO材料的分解速率。
【作者单位】： 中国工程物理研究院电子工程研究所;
【基金】：中国工程物理研究院院基金(2012B0302045)
【分类号】：TQ131.22;TM912
【正文快照】： 0引言随着电子产品的发展,高倍率、高容量电池备受关注。尽管锂离子电池因电压高、理论容量高、原料丰富等优势而受到广泛的关注,但大倍率放电性能差是锂离子电池共存的问题。相比锂离子电池、热电池及其他电池体系,锌银电池具有显著的高比能量、可靠性和安全性特性,因其价格，

本文编号：1204817