硒化钨拉曼光谱层数效应
本文关键词:硒化钨拉曼光谱层数效应 出处:《光散射学报》2016年01期 论文类型:期刊论文
【摘要】:应用键弛豫理论(BOLS)对层状硒化钨材料的拉曼光谱进行定量分析,得出了硒化钨层数与键参数的数值函数关系。澄清了硒化钨拉曼频移层数效应的内在起因:硒化钨层数增加时,拉曼振动模A1g发生蓝移是由于最近邻原子的影响;成键原子控制着硒化钨拉曼E12g模和B12g模的红移。
[Abstract]:The application of bond relaxation theory (BOLS) of layered se Raman spectroscopy of tungsten materials for quantitative analysis, numerical function relations between selenium tungsten layers and bond parameters. To clarify the internal cause of selenium tungsten Raman shift effect layers: Selenium tungsten layers increases, the Raman vibration modes of A1g blue shift is due to the influence of nearest neighbor atoms; the atoms control selenium tungsten Raman E12g mode and B12g mode shift.
【作者单位】: 吉首大学物理与机电工程学院;湘潭大学材料科学与工程学院;
【基金】:国家自然科学基金(11447237) 湖南省自然科学基金(2015JJ6094)资助项目
【分类号】:O657.37;TQ136.13
【正文快照】: 1引言二硒化钨,由二维Se-W-Se的层状结构构成,层内通过共价键结合,而层间通过范德瓦尔斯结合。大量实验研究表明[1-3],硒化钨薄膜的电子和声子性质具有显著的层数效应:二维纳米硒化钨薄膜厚度减小到单层时,能带结构会从间接带隙过渡到直接带隙;声子谱将随着层数的减少而发生红
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