超精度石英玻璃的化学机械抛光

发布时间：2018-02-27 12:03

  本文关键词： 集成电路 石英玻璃 表面粗糙度 化学机械抛光(CMP) 去除速率　出处：《微纳电子技术》2017年01期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：在工作压力为2 psi(1 psi=6 894.76 Pa)、抛光头转速为55 r/min、抛盘转速为60 r/min、流量为50 mL/min的条件下,对3英寸(1英寸=2.54 cm)的石英玻璃(99.99%)进行化学机械抛光(CMP)实验。分别研究了磨料质量分数(4%,8%,12%,16%,20%)、FA/OⅠ型螯合剂体积分数(1%,2%,3%,4%,5%)和FA/O型活性剂体积分数(1%,2%,3%,4%,5%)对石英玻璃化学机械抛光去除速率的影响。实验结果表明:随着磨料质量分数增加,石英玻璃去除速率明显提高,从11 nm/min提升到97.9 nm/min,同时表面粗糙度(Ra)逐渐降低,从2.950 nm降低到0.265 nm;FA/OⅠ型螯合剂通过化学作用对去除速率有一定的提高,Ra也有一定程度的减小,能够降低到0.215 nm;FA/O型活性剂的加入会导致去除速率有所降低,但是能够使Ra进一步降低至0.126 nm。最终在磨料、FA/OⅠ型螯合剂、FA/O型活性剂的协同作用下,石英玻璃去除速率达到93.4 nm/min,Ra达到0.126 nm,远小于目前行业水平的0.9 nm。
[Abstract]:When the working pressure is 2 psi(1 psi=6 894.76 Paan, the rotating speed of polishing head is 55 r / min, the speed of throwing disk is 60 r / min, the flow rate is 50 mL/min. Chemical mechanical polishing (CMP) experiments were carried out on quartz glass (3 inches / 1 inch / 2.54 cm), respectively. The chemical mechanical polishing of quartz glass was studied. Experimental results show that: with the increase of abrasive mass fraction, The removal rate of quartz glass was obviously increased from 11 nm/min to 97.9 nm / min, and the surface roughness was gradually decreased from 2.950 nm to 0.265 nm FA-O 鈪，

本文编号：1542589