采用盲孔填充技术制备金属微电极阵列
本文选题:UV-LIGA 切入点:KMPR 出处:《科学技术与工程》2017年02期 论文类型:期刊论文
【摘要】:针对目前MEMS工艺里由于微电铸铸层内应力导致的金属微结构与基底容易脱离的问题和不足,提出一种借助盲孔填充技术制备微电极阵列的方法。选择KMPR作为胶模材料,首先通过UV-LIGA工艺制备出180μm厚的阵列孔缝胶模结构,然后在胶模表面溅射Cu种子层,优化电铸工艺参数:电铸前采用真空润湿的方法排出孔缝内气泡,电铸液中加速剂与抑制剂浓度分别为4×10~(-6)mol/L和24×10~(-6)mol/L,电流密度为1 A/dm~2,在孔缝内电铸铜,并在胶模表面电铸出铜基底,最后获得了高180μm,线宽200μm的两种柱状金属微电极阵列。试验结果表明,盲孔填充技术是一种低成本、安全的制作金属微电极阵列的方法。
[Abstract]:In view of the problems and shortcomings of metal microstructures and substrates easily separated from the substrate in MEMS process, a method of fabricating microelectrode arrays by blind hole filling technique is proposed. KMPR is selected as the adhesive material. At first, 180 渭 m thick matrix was fabricated by UV-LIGA process, then Cu seed layer was sprayed on the surface of the die. The parameters of electroforming were optimized: vacuum wetting method was used to discharge the bubble in the hole before electroforming. The concentration of accelerator and inhibitor in electroforming solution were 4 脳 10 ~ (-6) mol / L and 24 脳 10 ~ (10) ~ (-6) mol 路L ~ (-1), respectively. The current density was 1 A / D ~ (-2). Copper was electroformed in the hole, and copper substrate was electroformed on the surface of the mould. Finally, two kinds of columnar metal microelectrode arrays with a height of 180 渭 m and a line width of 200 渭 m were obtained. Blind hole filling is a low-cost and safe method for fabricating metal microelectrode arrays.
【作者单位】: 中北大学电子测试技术重点实验室;
【基金】:国家自然科学基金(51475438,61401405)资助
【分类号】:TQ153.4
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,本文编号:1563381
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