氢还原后三氯氢硅的杂质控制

发布时间：2018-03-09 04:32

  本文选题：多晶硅还原　切入点：三氯氢硅　出处：《化学反应工程与工艺》2017年03期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：为控制还原后三氯氢硅中杂质含量,采用Aspen Plus模拟软件对还原后三氯氢硅提纯塔进行模拟计算,考察了提纯塔的进料量、回流量和采出量对还原后三氯氢硅中硼、磷杂质的影响,并结合实际生产探索还原后三氯氢硅中碳和金属杂质的控制措施。结果表明:降低提纯塔进料量,提高提纯塔回流量和采出量能有效降低还原后三氯氢硅中硼、磷杂质含量。对还原炉钟罩、基盘和备品备件进行合理的维护和选用,能有效控制氢还原后三氯氢硅中碳和金属杂质含量。
[Abstract]:As the impurity content control after reduction of trichlorosilane, using Aspen Plus simulation software for the reduction of trichlorosilane purification tower simulation, effects of feed purification tower, reflux and the recovery of reduction in trichlorosilane boron, phosphorus impurities influence, combined with the control measures of carbon and metal impurities in trichlorosilane reduction exploration of practical production. The results showed that the lower the purifying column feed amount, improve the recovery and purification tower back flow can effectively reduce the reduction of trichlorosilane boron, phosphorus impurity content. The reduction furnace bell, base plate and spare parts for reasonable maintenance and use, can effectively control the hydrogen reduction in carbon and trichlorosilane the content of metal impurities.

【作者单位】： 昆明冶研新材料股份有限公司;云南省光电子硅材料制备技术企业重点实验室;
【分类号】：TQ127.2

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本文编号：1587028