添加氧化铝烧结助剂的碳化硼陶瓷无压烧结工艺研究

发布时间：2018-03-23 08:30

  本文选题：烧结助剂　切入点：碳化硼　出处：《粉末冶金技术》2017年06期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：采用无压烧结工艺,通过添加质量分数为5%的氧化铝烧结助剂,制备得到了碳化硼陶瓷,其中烧结温度从2000℃到2250℃,保温时间为1、2和3 h。对烧结试样进行了体积密度、显气孔率、维氏硬度、显微形貌和晶体结构测试,并与2250℃下烧结得到的不添加烧结助剂碳化硼试样进行了比较。实验结果表明:由于烧结助剂与碳化硼在扩散运动中的相互作用,导致添加氧化铝助剂无压烧结碳化硼晶粒的形态变化具有温度选择性;氧化铝助剂所体现的液相扩散作用和钉扎作用,既可阻碍碳化硼晶粒长大,又可大幅度降低碳化硼的气孔率;通过烧结工艺控制氧化铝助剂成分在晶粒烧结体中的比例,可以将氧化铝成分完全包裹在碳化硼晶粒内部,有利于碳化硼烧结中的晶粒控制和空隙调整,从而避免助剂成分对烧结碳化硼可能造成的不利影响。
[Abstract]:Boron carbide ceramics were prepared by adding 5% alumina additive in pressureless sintering process. The sintering temperature ranged from 2000 鈩，

本文编号：1652680