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单层及少层二硫化钼薄膜的制备及其气敏性能研究

发布时间:2018-03-23 18:25

  本文选题:化学气相沉积法 切入点:MoS薄膜 出处:《郑州大学学报(理学版)》2017年04期


【摘要】:通过化学气相沉积法,以MoO_3和S粉为反应物制备大面积的二硫化钼(MoS_2)薄膜,通过拉曼光谱、原子力显微镜、透射电子显微镜对产物的层数和结构进行表征,结果证明通过该方法制备的MoS_2薄膜具有单层及少层结构.气敏测试结果表明该超薄MoS_2薄膜在室温下对NO具有良好的灵敏度和选择性,对体积浓度为10、50(×10~(-6))的NO气体的灵敏度为9.3%和19.3%,响应时间(恢复时间)快,分别为281 s(298 s)和120 s(190 s),其优异的气敏性能与超薄MoS_2薄膜的高比表面积息息相关.
[Abstract]:A large area of molybdenum disulfide (MoS _ 2) thin films were prepared by chemical vapor deposition with MoO_3 and S powder as reactants. The layers and structures of the products were characterized by Raman spectroscopy, atomic force microscope and transmission electron microscope. The results show that the MoS_2 thin film prepared by this method has monolayer and less layer structure. The gas sensitivity test results show that the ultrathin MoS_2 film has good sensitivity and selectivity to no at room temperature. The sensitivity of no gas is 9.3% and 19.3s, the response time (recovery time) is 281sm ~ (298s) and 120 sm ~ (190) s ~ (-1), respectively. Its excellent gas sensitivity is closely related to the high specific surface area of ultra-thin MoS_2 films.
【作者单位】: 郑州大学物理工程学院;
【基金】:国家自然科学基金项目(11504331)
【分类号】:TB383.2;TQ136.12

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本文编号:1654646


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