基于Over-plating成型的金属微电极阵列制备技术

发布时间：2018-04-03 09:23

  本文选题：UV-LIGAKMPR　切入点：微细阵列电极　出处：《仪表技术与传感器》2017年12期

【摘要】：为了解决MEMS工艺制备金属微电极阵列时,电极与基底结合力小,易脱落等问题,提出了基于Over-plating成型的过电铸法金属微电极阵列制备技术。在常温下,选择190 g/m L的CuSO_4·5H_2O、60 g/L的H_2SO_4、70 mg/L的氯离子以及适量的添加剂配置成的电铸液,并采用酸性镀铜工艺,设置电流密度1.5 A/dm~2,过电铸20 h,经抛光处理后,分别得到了高度200μm、900μm,线宽200μm,中心距300μm的柱金属微电极阵列。所制备的金属微电极阵列,在相邻区域金属沉积过程中相互影响形成了较深的孔缝,这些微孔极大地增加了三维微电极的表面积。可见,过电铸工艺是一种便捷、快速、低成本的微电极制备工艺。
[Abstract]:In order to solve the problems of low adhesion between electrode and substrate and easy shedding when preparing metal microelectrode array by MEMS process, the fabrication technology of metal microelectrode array by over-electroforming method based on Over-plating was proposed.鍦ㄥ父娓╀笅,閫夋嫨190 g/m L鐨凜uSO_4路5H_2O,60 g/L鐨凥_2SO_4,70 mg/L鐨勬隘绂诲瓙浠ュ強閫傞噺鐨勬坊鍔犲墏閰嶇疆鎴愮殑鐢甸摳娑，

本文编号：1704584