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基于原子层沉积的氧化锆薄膜工艺优化研究

发布时间:2018-04-20 22:25

  本文选题:原子层沉积 + ZrO_薄膜 ; 参考:《人工晶体学报》2017年04期


【摘要】:利用原子层沉积技术(Atomic layer deposition,ALD)进行ZrO_2薄膜工艺研究,获得了低温下ZrO_2薄膜ALD的最佳工艺条件。分析了在低温下前驱体脉冲时间,吹扫时间生长工艺条件对薄膜性能的影响。以四(二甲基氨)基锆(TDMAZ)和H_2O为前驱体,制备了均匀性良好,表面粗糙度低,可见光透过率高,水汽阻挡效果良好的ZrO_2薄膜。
[Abstract]:Atomic layer deposition (ALD) technique was used to study the process of ZrO_2 thin film. The optimum process conditions of ZrO_2 thin film ALD at low temperature were obtained. The influence of the growth conditions of the precursor pulse time and the blowing time on the properties of the films at low temperature was analyzed. ZrO_2 thin films with good homogeneity, low surface roughness, high visible light transmittance and good water vapor blocking effect were prepared by using tetra- (Dimethylamine) based zirconium zirconium (TDMAZ) and H _ 2O as precursors.
【作者单位】: 上海大学材料科学与工程学院;福建江夏学院电子信息科学学院;有机光电子福建省高校工程研究中心;
【基金】:国家自然科学基金(51402050) 福建省自然科学基金(2017J01733,2015J01654)
【分类号】:TB383.2;TQ134.12

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本文编号:1779728

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