碳热还原合成碳化硅过程的数值模拟

发布时间：2018-05-08 04:21

  本文选题：碳热还原 + 碳化硅　； 参考：《化学反应工程与工艺》2017年01期

【摘要】：为揭示碳化硅合成过程中能量及物质扩散机理,从而为碳化硅的提质增产奠定理论基础,采用数值模拟的方法对碳化硅合成过程中的温度场、压力场、气体流动规律进行模拟研究。结果表明,随着合成时间的延长,炉内热量呈辐射状向外扩散,合成炉内气体呈现三维多向流动特性,反应进行到24 h时CO气体流量达到最大,而此时由于炉底透气性差的原因,致使炉底部压力高于其余位置,最大可达1.525×101 k Pa,此时可加入少量木屑以增加炉底透气性来改善因压力过高所造成的喷炉事故。模拟结果得到了生产实践验证。
[Abstract]:In order to reveal the mechanism of energy and substance diffusion in the process of silicon carbide synthesis and to lay a theoretical foundation for increasing the quality and yield of silicon carbide, the temperature field and pressure field in the process of synthesis of silicon carbide were studied by numerical simulation. The law of gas flow is simulated and studied. The results show that with the prolongation of the synthesis time, the heat in the furnace radiates outward, the gas in the furnace presents a three-dimensional multidirectional flow characteristic, and the flow rate of CO reaches the maximum when the reaction is carried out for 24 h. However, due to the poor gas permeability of the bottom of the furnace, the pressure at the bottom of the furnace is higher than the rest, and the maximum is 1.525 脳 101kPa. At this time, a small amount of sawdust can be added to increase the permeability of the bottom of the furnace to improve the accident caused by the high pressure. The simulation results are verified by production practice.
【作者单位】： 陕西铁路工程职业技术学院;西安科技大学材料学院;西北工业大学凝固技术国家重点实验室;
【基金】：陕西省教育厅科研计划项目(12JK0785) 陕西铁路工程职业技术学院2016第二批科研基金项目(KY2016-34)
【分类号】：TQ163.4

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本文编号：1859936