铜镍诱导非晶硅晶化机制研究

发布时间：2018-05-29 21:18

  本文选题：金属诱导晶化 + 界面热力学　； 参考：《功能材料》2017年11期

【摘要】：对可形成硅化物的金属铜、镍诱导非晶硅晶化机制进行了研究。利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)和磁控溅射制备了Cu/a-Si、Ni/a-Si双层薄膜系列样品,并对制备的样品进行了退火处理,然后利用X射线衍射仪和拉曼光谱仪对样品进行了表征。结果表明,对2个双层膜体系退火,首先生成金属硅化物,然后当温度升高到一定值时才会发生非晶硅晶化。利用界面热力学解释了铜、镍诱导非晶硅晶化的机制,以及金属硅化物在诱导过程中的作用。
[Abstract]:The mechanism of amorphous silicon crystallization induced by nickel and copper was studied. The Cu / a-Si / Ni / a-Si bilayer films were prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) and magnetron sputtering. The samples were annealed and characterized by X-ray diffraction and Raman spectroscopy. The results show that after annealing of two bilayer films, the metal-silicide is first formed, and then the amorphous silicon crystallization occurs when the temperature is raised to a certain value. The mechanism of amorphous silicon crystallization induced by copper and nickel and the role of metal silicides in the induction process were explained by interfacial thermodynamics.
【作者单位】： 汕头大学理学院物理系;
【基金】：国家自然科学基金资助项目(11274218)
【分类号】：TB383.2;TQ127.2

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本文编号：1952393