反应烧结工艺对碳化硅陶瓷微结构及性能的影响

发布时间：2018-07-03 04:37

  本文选题：反应烧结 + 碳化硅陶瓷　； 参考：《硅酸盐通报》2017年02期

【摘要】：研究了脱胶温度、加硅量、升温速率及重烧次数对反应烧结碳化硅陶瓷金相组织、体积密度、力学性能和微观结构的影响。结果表明:经800℃脱胶,硅与碳化硅生坯的质量比为0.9∶1,升温速率为1.0℃/min时,反应烧结碳化硅陶瓷产品的性能最好,体积密度为3.09 g/cm~3,维氏硬度为26.82 GPa,弯曲强度为388 MPa,断裂韧性为4.49MPa·m~(1/2)。对渗硅不充分的不合格品进行重烧可以有效提高产品的致密度和力学性能,但是,重烧次数过多会引起晶粒粗化,从而导致力学性能下降。
[Abstract]:The effects of degumming temperature, amount of silicon added, heating rate and times of refiring on the microstructure, bulk density, mechanical properties and microstructure of reactive sintering silicon carbide ceramics were studied. The results show that when the mass ratio of silicon to silicon carbide is 0.9: 1, and the heating rate is 1.0 鈩，

本文编号：2092420