Lu-F共掺杂ZnO光电性质的第一性原理计算

发布时间：2019-02-14 14:45

【摘要】：采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势(PWPP)方法,模拟计算未掺杂,Lu、F单掺杂及Lu-F共掺杂ZnO的几何结构、能带结构、态密度分布、光吸收谱和介电常数等性质。结果表明:掺杂后ZnO的晶格常数发生畸变,晶胞体积增大,禁带宽度不同程度地减小;在光学性质方面,F单掺杂较Lu单掺杂和Lu-F共掺杂时在可见光区的吸收系数和反射低,反映前者在可见光范围具有较高的透射率。
[Abstract]:The geometric structure, energy band structure, state density distribution, light absorption spectrum and dielectric constant of the undoped, Lu, F and Lu-F co-doped ZnO are simulated by using the first principle plane wave super-soft pseudo-potential (PWPP) method based on the density functional theory (DFT). The results show that the crystal lattice constant of ZnO is distorted, the cell volume is increased, and the width of the forbidden band is reduced to a certain extent; in the optical property, the absorption coefficient and the reflection of the F-doped ZnO in the visible light region are low when the Lu single-doped and Lu-F are co-doped, reflecting a higher transmittance in the visible range of the former.
【作者单位】： 河北大学电子信息工程学院;河北大学计算材料与器件模拟研究中心;
【基金】：河北省高等学校科学技术研究重点项目(ZD2017008)~~
【分类号】：TQ132.41

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本文编号：2422307