高光催化活性钒酸铋的形貌控制及其复合材料的研究
【图文】:
的为导带(CB);充满了电子下的“准连续”能带中最上面为价带(VB)1所示:图1.1 常见催化半导体材料的能带电位与禁带宽度图Fig.1.1 Bandwidth and energy band diagram of semiconductor+2.0+0.5-0.5-1.0-1.5+2.5+1.0+1.5+4.0+3.0+3.50E/HEN-4.5-5.0-8.5-7.5-6.5-5.5-3.5-8.00-6.0-7.0-3.0-4.0(真空)ECΔE=1.4eV2.2eV2.25eVEVTiO2(n)CdS(n)CdSe(n)SiC(n,p)GoP(n.p)GoAsP(n.p)GoAs(n,p)3.0eV3.2eV3.8eV3.2eV3.2eV2.5eV1.7eVSnO2(n)WO3(n)ZnO(n)H2/H+
研显的晶的凝胶胶产Fig.1.3研究成果表明显然晶型不同的。只有在短晶铋钒酸盐可的主要制备胶法胶法(Sol-G产物前驱体。图1.3 BiVCrystal ph明[37],同等同,禁带宽短波长(如可在 UV 范备方法介绍Gel 法)是一。首先通过VO4的晶相之hase transitio等条件下,宽度是不同如紫外线照范围内反应,,绍一种的在温过聚合物的之间转变图on diagram o单斜相钒酸的,带隙是射可以驱动并在可见温和条件下制胶联作用将f BiVO4酸铋的光催是不同的,动反应等)见光波长范围制备材料的将预配溶液催化所的围的普液变
【学位授予单位】:华侨大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2017
【分类号】:TQ135.32;TB33
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