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放电等离子烧结法制备氮化铝透明陶瓷

发布时间:2017-04-06 09:03

  本文关键词:放电等离子烧结法制备氮化铝透明陶瓷,由笔耕文化传播整理发布。


【摘要】: AlN陶瓷具有优异的综合性能,如高热导率、低介电常数、高绝缘性、低介电损耗等,透明AlN陶瓷不仅继承了氮化铝陶瓷自身的优点,而且还具有透明性,使其在红外导流罩以及窗体材料等领域有着广泛的应用前景。然而,AlN是强共价键化合物,烧结活性低,而且AlN很容易水解引入氧杂质。因此,纯的AlN因其很难烧结达到完全致密而限制了它的实际应用。而透明AlN陶瓷的烧结就更加困难。目前国内外成功烧结AlN透明陶瓷的报导极少。 本论文采用放电等离子烧结法(Spark Plasma Sintering,简称SPS)制备AlN透明陶瓷的研究。SPS技术是90年代发展起来的一种技术,它具有升温、降温速度快、能在较低的温度下烧结以及烧结时间短的特点。放电等离子烧结法已成功应用于梯度功能材料、金属基复合材料、纤维增强复合材料、纳米材料、多孔材料等多种材料的制备。目前,尚未见用放电等离子烧结法制备透明陶瓷的相关报导。 在其它条件相同时,将试样分别在1700℃、1730℃、1800℃、1850℃的烧结温度下进行烧结,试样的相对密度为95.9~99.3%,在烧结温度为1730℃时就获得了高致密的氮化铝陶瓷。SEM分析表明随着烧结温度的升高,烧结体晶粒发育更趋于完善。 在其它条件相同时,将试样分别以100℃/min、150℃/min、200℃/min、300℃/min、550℃/min的升温速率升温,试样的相对密度为97.6~99.1%,说明在任何升温速率下烧结体均能达到高的致密度,表明SPS可实现快速烧结。SEM分析表明随着升温速率的减慢,晶粒生长的更为均匀,晶界更为平滑,晶粒稍有长大,但并不明显。 在其它条件相同时,将试样分别保温4min、10min、15min、20min,试样的相对密度为97.5~99.1%,表明,在SPS烧结中,仅保温4min就能得到高的致密度,烧结主要发生在烧结升温阶段,随烧结时间的延长,对烧结体致密度影响不大。SEM分析表明随保温时间的增加,晶粒的形状更趋于同一化,同时晶粒稍有长大。 在其它条件相同时,在N_2气氛和真空条件下的烧结表明,N_2气氛对晶粒的生长更为有利。 X-Ray、XPS、EMPA表明试样纯净,为纯净的氮化铝,没有第二相物质; 戎江理工上到页士q位伦支 金相分析表明烧结体结构分布均匀;综合排水法测定的试样高的致密度以及 SEM观察到的致密的结构,证明使用SPS技术制备的氮化铝陶瓷基本上满足 陶瓷透明的几个必要条件。 将试样粗磨、细磨\抛光至0.50mm左右后,用肉眼观察是透明的。 在红外光谱仪上的光透过率分析表明:试样在中红外波段(2.5~25 u m) 是透明的,但最大透过率随升温速率、保温时间以及烧结温度的变化而变化。 研究表明减慢升温速率、延长烧结时间、提高烧结温度可增加光透过率。 透射电镜分析表明:烧结的氮化铝透明陶瓷整体结构致密,分布均匀,颗 粒排列有致,为材料透明提供了良好的基础,但材料中存在一些缺陷,尤其是 大量的位错、层错缺陷以及少量的气孔、第二相包裹体等,这些缺陷都将损害 氮化铝透明陶瓷的透光性能。 对透明陶瓷的透光机理及透光回素的研究表明影响透明陶瓷透光的因素 主要有吸收系数、反射系数以及散射系数,其中散射系数是最主要的影响因素,, 它从几个方面对材料的透光性能造成影响;气孔、晶界组织结构、第二相以及 晶粒排列取向。
【关键词】:氮化铝 SPS 透明陶瓷 透光率 透光因素
【学位授予单位】:武汉理工大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2002
【分类号】:TQ174
【目录】:
  • 中文摘要3-5
  • 英文摘要5-9
  • 第一章 绪论9-18
  • 1.1 透明陶瓷的发展现状9-11
  • 1.1.1 氧化物透明陶瓷9-11
  • 1.1.2 非氧化物透明陶瓷11
  • 1.2 透明陶瓷制备工艺11-15
  • 1.2.1 粉料制备11-13
  • 1.2.2 成型技术13
  • 1.2.3 烧结方法13-15
  • 1.3 氮化铝透明陶瓷的研究进展15-18
  • 第二章 实验设备18-23
  • 2.1 放电等离子烧结技术及设备18-19
  • 2.2 温度-压力-密度图19-20
  • 2.3 脉冲电流的作用及效果图20-21
  • 2.4 SPS技术在材料制备中的应用21
  • 2.5 研究的目的意义及研究内容与技术方案21-23
  • 2.5.1 研究目的意义21-22
  • 2.5.2 研究内容22
  • 2.5.3 技术方案22-23
  • 第三章 氮化铝陶瓷的SPS烧结研究23-36
  • 3.1 实验方法及过程23-24
  • 3.2 实验原料24-25
  • 3.3 实验结果及讨论25-34
  • 3.3.1 升温速率对烧结体性能的影响26-28
  • 3.3.2 保温时间对烧结体性能的影响28-30
  • 3.3.3 烧结温度对烧结体性能的影响30-31
  • 3.3.4 气氛对烧结体性能的影响31-34
  • 3.3.5 同热压烧结的比较34
  • 3.4 小结34-36
  • 第四章 透明氮化铝陶瓷的SPS烧结36-54
  • 4.1 试样透明的可行性研究36-40
  • 4.1.1 测试方法36-37
  • 4.1.2 结果与分析37-40
  • 4.2 氮化铝陶瓷的透明性研究40-53
  • 4.2.1 测试方法40-41
  • 4.2.2 透明陶瓷样品图41-42
  • 4.2.3 透过率分析42-47
  • 4.2.3.1 升温速率对透过率的影响43-45
  • 4.2.3.2 保温时间对透过率的影响45-46
  • 4.3.3.3 烧结温度对透过率的影响46-47
  • 4.3.3.4 气氛对透过率的影响47
  • 4.2.4 透射电镜分析47-53
  • 4.3 小结53-54
  • 第五章 透明陶瓷透明机理以及透光因素的研究54-62
  • 5.1 透明机理54-56
  • 5.2 影响因素56-61
  • 5.2.1 吸收系数56
  • 5.2.2 反射系数56-57
  • 5.2.3 散射系数57-61
  • 5.2.3.1 气孔57-59
  • 5.2.3.2 晶界组织结构59
  • 5.2.3.3 第二相59-60
  • 5.2.3.4 晶粒排列方向60-61
  • 5.3 小结61-62
  • 第六章 结论和展望62-64
  • 参考文献64-68
  • 致谢68-69
  • 附录 攻读硕士期间发表论文69

【引证文献】

中国期刊全文数据库 前1条

1 魏春城;田贵山;;影响尖晶石型AlON陶瓷透明性的因素[J];现代技术陶瓷;2006年04期

中国博士学位论文全文数据库 前2条

1 何秀兰;AlN和BN/AlN复相陶瓷的放电等离子烧结及其组织与性能研究[D];哈尔滨工业大学;2011年

2 潘艳;掺镱氧化钇纳米功能材料的制备及其光学性能的研究[D];中国科学院研究生院(西安光学精密机械研究所);2010年

中国硕士学位论文全文数据库 前10条

1 司朝;高透明Nd:YAG激光陶瓷工艺研究[D];西安电子科技大学;2011年

2 王野;流延法制备Al_2O_3/MgAl_2O_4陶瓷及其性能研究[D];哈尔滨工业大学;2010年

3 沈海涛;Al_2O_3/MgAl_2O_4红外透明陶瓷制备工艺及其性能研究[D];哈尔滨工业大学;2011年

4 谭天亚;脉冲大电流加热条件下原子的扩散机理[D];武汉理工大学;2003年

5 赵国林;放电等离子烧结钛酸钡压电陶瓷组织及性能研究[D];南京航空航天大学;2007年

6 王健;掺钕钇铝石榴石透明陶瓷的烧结研究[D];长春理工大学;2008年

7 刘敬勇;高透明高掺杂Nd:YAG透明陶瓷的制备及工艺研究[D];西安电子科技大学;2010年

8 商青琳;MgAlON透明陶瓷的制备研究[D];武汉理工大学;2010年

9 魏巍;烧结助剂对无压烧结制备γ-AlON透明陶瓷的影响研究[D];武汉理工大学;2010年

10 吴锡惠;改性Al_2O_3透明陶瓷的制备与性能研究[D];长春理工大学;2012年


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本文编号:288590

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