高锆含量反铁电陶瓷PLZST的制备及其介电性能研究

发布时间：2021-01-06 18:02

　　反铁电陶瓷是一种典型的相变铁电材料,被发现于上世纪50年代。其中锆钛酸铅（PZT）基陶瓷材料性能优异,特别是不易产生介电饱和,剩余极化小,在储能型脉冲电容器方面具有非常大的应用前景。根据相关文献报道,PLZST反铁电陶瓷的储能密度随Zr含量的增加而升高,随Sn含量的增加而下降。由此可以推测,高Zr含量的PLZST反铁电陶瓷很可能具有较高的储能密度,因此决定选择化学组分为（Pb0.97La0.02）（Zr0.95Sn0.01Ti0.04）O3的高Zr低Sn含量的PLZST反铁电陶瓷做为本次课题的研究对象。本文采用改进的溶胶-凝胶法来制备PLZST前驱体不仅能够在很大程度上降低反应温度,而且合成的PLZST粉体组分可控、均匀性好,纯度和化学活性都很高,粉末颗粒细小。在采用传统的高温烧结工艺制备陶瓷样品时,采用了不同的烧结条件,并对样品进行了XRD、SEM、电滞回线以及介频曲线测试,最终确定在烧结温度为1150℃、烧结时间为2h下制备的PLZST陶瓷样品的综合性能最优。样品的介电击穿场强高达15MV/m,最大储能密度为1.08 J/cm3,储能效率可达到81.2%。实验还研究了PbO-B2O... 

【文章来源】：湘潭大学湖南省

【文章页数】：59 页

【学位级别】：硕士

【部分图文】：

各类电储存器件的储能密度和比功率

『螅?缛萜髂诘木驳绯∧芫涂?级愿涸厥涑龅缒堋Ｍ?1.2 介电材料的极化图1.2.2 电容器介电材料介电材料在介电电容器工作过程中，起充放电作用。按照储能原理分，可以将已发现的介电材料分为线性介电材料（简称 LD，如玻璃、Al2O3等）、普通铁

各类介电材料的E-P曲线

【参考文献】：
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硕士论文
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本文编号：2961014