基于纳米氧化硅改性的芳纶基凝胶电解质的研究
发布时间:2021-05-07 17:26
掺杂无机填料是提高凝胶电解质离子电导率的重要手段。利用SiO2纳米球掺杂的方法制备了高离子电导率的芳纶基凝胶电解质,通过XRD、SEM、EIS等手段对不同掺杂量下的芳纶基凝胶电解质的光学性能及电化学性能进行了表征,进一步研究了其在电致变色器件中的应用与性能。结果表明,SiO2纳米球质量分数为9%时,芳纶基凝胶电解质的离子电导率显著提高,由其作为电解质层组装的近红外电致变色器件具有更快的响应速度和更高的着色效率。该研究为纳米改性凝胶电解质在近红外电致变色器件的应用提供了新的思路。
【文章来源】:现代化工. 2020,40(02)北大核心CSCD
【文章页数】:5 页
【文章目录】:
1 材料、试剂与仪器
1.1 材料与试剂
1.2 仪器
2 实验方法
2.1 Si O2纳米球的制备[15]
2.2 芳纶基凝胶电解质膜的制备
2.3 近红外电致变色器件的制备
2.4 分析方法
3 结果与分析
3.1 Si O2纳米球的表征分析
3.2 芳纶基凝胶电解质膜的表征分析
3.3 芳纶基凝胶电解质膜的光学和电化学分析
3.4 基于芳纶基凝胶电解质膜的近红外电致变色器件性能
4 结论
本文编号:3173789
【文章来源】:现代化工. 2020,40(02)北大核心CSCD
【文章页数】:5 页
【文章目录】:
1 材料、试剂与仪器
1.1 材料与试剂
1.2 仪器
2 实验方法
2.1 Si O2纳米球的制备[15]
2.2 芳纶基凝胶电解质膜的制备
2.3 近红外电致变色器件的制备
2.4 分析方法
3 结果与分析
3.1 Si O2纳米球的表征分析
3.2 芳纶基凝胶电解质膜的表征分析
3.3 芳纶基凝胶电解质膜的光学和电化学分析
3.4 基于芳纶基凝胶电解质膜的近红外电致变色器件性能
4 结论
本文编号:3173789
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