多组分掺杂ZnO薄膜的微观结构及电学性能研究

发布时间：2017-07-06 12:04

  本文关键词：多组分掺杂ZnO薄膜的微观结构及电学性能研究

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【摘要】：采用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上制备多组分掺杂ZnO薄膜,研究了衬底温度和氧分压对Bi、Cr、Sb、Mn和Co掺杂ZnO薄膜的晶体结构、表面形貌及电学性能的影响。结果表明:随着衬底温度的升高,ZnO(002)衍射峰相对强度先增强后减弱;薄膜表面粗糙度先减小后增大。随着氧分压的增大,ZnO的(101)、(102)和(103)衍射峰消失,薄膜呈优异的(002)择优取向生长。在衬底温度为300℃、氧分压为50%时,Bi、Cr、Sb、Mn和Co所引起的缺陷和氧过剩引起的本征缺陷,共同形成受主态的复合缺陷,导致晶界势垒激增。此时,薄膜有最优化的压敏电压、非线性常数和漏电流,分别达到7.05V、20.83和0.58μA/mm~2。
【作者单位】： 江苏大学材料科学与工程学院;
【关键词】： ZnO薄膜 多组分掺杂 射频磁控溅射 衬底温度 氧分压 电学性质
【基金】：国家自然科学基金资助项目(50451004)
【分类号】：TQ132.41;TB383.2
【正文快照】： ZnO作为一种新型的宽带隙化合物半导体材料,具有六角纤锌矿结构,室温下3.3eV的带宽,激子束缚能高达60meV[1];具有较好的压敏电性能,是抑制瞬间高压、吸收浪涌电能的理想器件,被广泛应用于电子电路的过压保护[2-3]。随着集成电路行业,特别是大规模、超大规模集成电路的快速发展

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1 李世彬;吴志明;朱魁鹏;蒋亚东;李伟;廖乃镘;;衬底温度对用RF-PECVD法制备的非晶硅薄膜光学性能影响[J];物理化学学报;2007年08期

2 ;[J];;年期

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本文编号：526104