原位合成NiO催化硅粉氮化制备氮化硅
本文关键词:原位合成NiO催化硅粉氮化制备氮化硅
【摘要】:采用化学沉淀方法在硅粉表面沉淀了Ni(OH)_2,利用其原位合成NiO来催化硅粉氮化制备Si_3N_4粉,研究了原位合成NiO含量(质量分数为0~2.0%)和氮化温度对硅粉氮化的影响。结果表明:原位合成的NiO可以促进硅粉的氮化,随着NiO含量的增加,硅粉的氮化率呈先增后减的变化趋势;随着氮化温度的升高,硅粉氮化率逐渐提高,当温度升高到1 400℃、NiO质量分数为1.0%时硅粉全部氮化;制备的Si_3N_4呈晶须状,直径为65~497nm,其生长符合固-液-气-固(SLGS)生长机理。
【作者单位】: 武汉科技大学省部共建耐火材料与冶金国家重点实验室;
【关键词】: 硅粉 SiN 催化氮化 NiO
【基金】:国家自然科学基金面上资助项目(51272188,51472184,51472185) “973”前期研究专项基金资助项目(2014CB660802) 湖北省自然科学基金重点资助项目(2013CFA086) 湖北省科技支撑计划对外科技合作项目(2013BHE002)
【分类号】:TQ127.2
【正文快照】: 0引言氮化硅结合碳化硅(Si3N4/SiC)复合材料具有优异的力学性能和良好的热震稳定性及化学稳定性,被认为是一种应用前景广阔的高温结构材料[1-6]。该复合材料通常以硅粉和SiC粉为原料,通过反应氮化法制备,其传统制备工艺存在周期长、能耗高和硅粉氮化不完全等问题,因此研究人员
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本文编号:579969
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