烧结温度影响Zn-Bi系压敏陶瓷性能研究

发布时间：2017-07-31 04:19

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【摘要】：以95.5ZnO-0.5V_2O_5-2.0Bi_2O_3-0.5Mn_3O_4-0.5Y_2O_3-0.5Cr_2O_3-0.5Co_2O_3为配方制备压敏电阻,研究了烧结温度对该体系微观结构及电学性能的影响。研究表明,随着烧结温度升高,ZnO压敏电阻的击穿场强E1mA逐渐减小,非线性系数α、损耗角正切值tanδ以及相对介电常数εr均先增大再减小。当烧结温度为910℃时,压敏电阻的微观结构均匀,晶界清晰,有大量八面体的尖晶石相生成,且分布均匀。该烧结温度下所制备的压敏电阻的非线性系数α达到最大值27,击穿场强E1mA为3 456.5V/cm,工作频率105 Hz条件下该电阻的损耗角正切值tanδ为0.29。
【作者单位】： 陕西科技大学理学院;陕西科技大学电气与信息工程学院;
【关键词】： 烧结温度 ZnO压敏电阻 微观结构 电学性能 损耗性能
【基金】：国家自然科学基金资助项目(51272145) 陕西省自然科学基金资助项目(2011JM1014)
【分类号】：TQ174.1
【正文快照】： 0引言在电力电子技术飞速发展的今天,各种电力系统和电子产品,如智能手机、超薄电视以及军事领域中的侦察机、军事雷达等,都只能在额定的电压电流条件下运行。如果电路突然被干扰,如出现很大的电压脉冲或电流脉冲等浪涌现象,这些电路中的电力电子器件就会被损坏。值得注意的是

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本文编号：597457