宽禁带半导体低维纳米结构力敏效应的研究

发布时间：2017-08-09 15:24

  本文关键词：宽禁带半导体低维纳米结构力敏效应的研究

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【摘要】：选择了均匀沉淀法来制备氧化锌纳米颗粒,用PEG200进行表面改性,使制备的氧化锌纳米颗粒更加分散。利用X-射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)表征证明了制备样品是粒径约20nm的氧化锌纳米颗粒,结晶性良好、粒径均匀,单个颗粒呈米粒状,颗粒相连呈薄片状。最后通过半导体特性分析仪(Agilent 4156C)和精密阻抗特性分析仪(Agilent 4284A)分别测量了受不同力时的氧化锌纳米颗粒的特性粘度(I-V特性)和阻抗值,并进行分析,得出其力敏特性。分析得出氧化锌纳米颗粒应用于加速度传感器、压力传感器、位移传感器、振动传感器、角度传感器等的可能性,具有广泛的应用前景。
【作者单位】： 郑州科技学院;
【关键词】： ZnO纳米颗粒 低维 力敏效应
【基金】：2015年郑州市科技局科技攻关项目:基于多源环境信息感知下太阳能LED路灯节能控制系统,项目号:153PKJGG150
【分类号】：TB383.1;TQ132.41
【正文快照】： 宽禁带半导体是指禁带宽度大于或等于3.2 e V的半导体材料,也被称为第三代半导体材料[1]。主要有金刚石、氮化镓(Ga N)、碳化硅(Si C)、氧化锌(Zn O)、和氮化铝(Al N)等。与第一、二代半导体材料相比,第三代半导体材料禁带宽度更宽,击穿电场更大,热导率更高,电子饱和速率更大,，

本文编号：645976