磷含量对真空蒸镀磷掺杂多晶硅薄膜的影响

发布时间：2017-08-24 04:21

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【摘要】：采用真空蒸镀的方法制备磷掺杂多晶硅薄膜,研究了磷含量对多晶硅薄膜的表面形貌、组织结构、晶粒尺寸及晶化率的影响。结果表明:随着磷掺杂分数的增加,多晶硅薄膜的晶粒尺寸和晶化率表现出先增加后降低的趋势,当磷掺杂分数为1%时,薄膜晶粒尺寸达到最大值,为0.55μm,晶化率为96.82%,且晶粒的均匀性最佳。
【作者单位】： 大连大学表面工程中心;
【关键词】： 真空蒸镀 多晶硅薄膜 磷掺杂 晶化率
【基金】：金州新区科技计划高新技术研究开发计划·培育专项(2013-GX1-002)
【分类号】：TQ127.2;TB383.2
【正文快照】： *金州新区科技计划高新技术研究开发计划·培育专项(2013-GX1-002)骆旭梁:男,1990年生,硕士生,主要研究方向为材料表面改性E-mail:luoxuliang358@163.com王宙:通讯作者,1961年生,教授,主要研究方向为材料表面改性E-mail:wangzhou1961@163.com0引言多晶硅薄膜既具有晶体硅的电

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本文编号：729158