热处理温度对制备β-SiC结合SiC材料的影响

发布时间：2017-08-24 15:21

  本文关键词：热处理温度对制备β-SiC结合SiC材料的影响

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【摘要】：以绿碳化硅、单质硅和炭黑微粉为原料,以聚乙烯基吡咯烷酮(K90)为结合剂,采用注浆工艺制备碳化硅坯体,然后在埋炭(焦炭)保护气氛中分别于1 000、1 200、1 420和1 510℃保温3 h热处理,主要研究了热处理温度对β-SiC结合SiC材料的致密度、强度、物相组成、显微结构等的影响,并探讨了β-SiC的生成生长机制。结果表明:1 000℃热处理后试样的致密度和强度较低,没有生成β-SiC;1 200和1 420℃热处理后试样的致密度和强度均比1 000℃热处理后试样的大,并且生成了较多β-SiC晶须;1 510℃热处理后试样的致密度和强度均比1 200和1 420℃热处理后试样的小,并且生成的β-SiC晶须的长径比也比1 200和1 420℃热处理后试样的小。
【作者单位】： 中钢集团洛阳耐火材料研究院有限公司;
【关键词】： 碳化硅材料 β-SiC晶须 气固反应机制
【分类号】：TQ163.4
【正文快照】： 碳化硅材料因其优越的性能在高温结构材料领域得到广泛的应用。为了适应不同产品烧成的要求,应根据实际使用条件来选择材料的材质及其结合方式[1-2]。β-Si C属立方晶系,相对于普通α-Si C的六方晶体结构,其化学稳定性高,热膨胀系数低,热导率高,硬度高(莫氏硬度达9.25~9.60),

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本文编号：732037