当前位置:主页 > 科技论文 > 化学论文 >

闪锌矿(GaSb)_m(ZnTe)_n超晶格光学性质的研究

发布时间:2017-10-17 11:29

  本文关键词:闪锌矿(GaSb)_m(ZnTe)_n超晶格光学性质的研究


  更多相关文章: 光学性质 跃迁矩阵元 合成能 光吸收 发光 超晶格


【摘要】:本文通过第一性原理基本方法,研究计算GaSb/ZnTe超晶格材料的基本电子和光学性质。基于密度泛函基本理论,采用HSE06函数,运用Hartree-Fock基本方法。通过对闪锌矿材料晶体结构的研究,以及对超晶格材料基本理论方法的应用,寻找性质优异的超晶格材料。在计算过程中我们统一采用PBE赝势。对新建的所有结构都进行了结构优化,让这些结构收敛到稳定的位置,以减小晶格形变带来的计算误差。同时严格的控制了计算精度,实现更准确的理论预测。然后,通过对这一类超晶格的性质计算和数据研究分析,寻找性质优异的材料运用于太阳能电池和LED发光。首先,研究闪锌矿材料的基本性质。我们发现闪锌矿材料GaSb和ZnTe,它们在光学方面具有一定的优势,同时也受到一定的限制。我们希望运用超晶格的基本方式,来实现对这两种材料光学性质的改进。闪锌矿GaSb和ZnTe的晶格系数比较接近,晶格匹配性很好。所以,用来构建超晶格是相对可行的。重构的GaSb/ZnTe超晶格结构,由于计算资源的限制。我们严格的控制了晶体结构的原子数目,并且只选取了[001]、[110]和[111]三个特殊的晶格生长方向。当原子数目和生长方向确定后,采用排列组合的基本方法构建超晶格结构,利用晶体对称性消去重复的晶体结构。然后,对这类材料进行基本的理论计算。计算发现,对于ZnTe和GaSb的跃迁矩阵元,它们的跃迁矩阵元主要集中在Γ点附近,远离Γ点的数值较小。由于跃迁矩阵元正比于跃迁概率,所以远离Γ的跃迁的概率也就相对较小。对GaSb/ZnTe超晶格的跃迁矩阵元的分析发现。在不同的晶格生长方向上,这类晶格的跃迁矩阵元存在很大的差异,在[110]和[111]晶格生长方向上较为优异。对GaSb/ZnTe超晶格的带隙分析发现。在[001]、[110]和[111]三个晶格生长方向,这些超晶格的带隙较好的覆盖了一定区域类的可能带隙数值。通过重复Shocldey-Queisser的基本理论。分析发现当材料的带隙间于1.0-1.5ev时,对光吸收的效率才能达到较高的位置。对于[110]和[111]晶格生长方向的晶体材料,它们的带隙大多数处于这个范围内,所以对光吸收转换效率具有一定的优势。考虑上述基本性质之后,对于材料的应用还得考虑结构的稳定性。在本文,我们还计算这类材料的合成能。相对而言,越稳定的结构合成能也就越低。计算发现,合成能较低的结构主要存在于[110]晶格生长方向,也就是说这个方向的晶体结构比其它方向要稳定。再则,通过上述条件筛选出了一些性质优异的超晶格结构。为了验证方法的可行性和计算的科学性,同时更好的分析了解超晶格在光吸收系数方面的基本性质。我们计算了GaSb/ZnTe超晶格和常见太阳能电池材料的吸收系数。通过参照AM1.5标准谱线,对比分析超晶格与常见太阳能电池的吸收特性。验证了我们筛选新结构的方法,是科学可行的。分析发现GaSb/Zn Te超晶格的吸收系数,主要集中在1.0-1.5ev之间,在这个范围内能够获得相对较多的太阳能。对于太阳能电池转换效率来讲,这些超晶格可以获得更理想的截断电源和开路电流,达到对太阳能转换效率的提升。最后,为了获得更确切的理论支撑。我们计算了一部分超晶格结构对可见光吸收的极限效率(Spectroscopic Limited Maximum Efficiency)。通过对计算结果的分析,我们现这类材料的吸收效率很理想。最大吸收效率可以达到31.38737%。充分说明了这类材料在太阳能电池的应用方面具有较大的发展潜力。由于这类材料的巨大发展潜质,以及理想的光学带隙。我们还发现这类材料在LED发光方面具有一定的发展潜力,尤其是在LED发光的空白区域。通过超晶格基本理论,控制晶体的电子性质,获得特殊需求的发光材料。所以我们预测,这类材料在LED发光领域具有较大的发展潜能。
【关键词】:光学性质 跃迁矩阵元 合成能 光吸收 发光 超晶格
【学位授予单位】:重庆大学
【学位级别】:硕士
【学位授予年份】:2016
【分类号】:O734
【目录】:
  • 中文摘要3-5
  • 英文摘要5-9
  • 1 绪论9-13
  • 1.1 问题的提出及现状9-11
  • 1.1.1 能源问题9-10
  • 1.1.2 研究的意义10-11
  • 1.2 本文的目的和基本内容11-13
  • 2 理论方法13-25
  • 2.1 构造超晶格材料晶体结构的基本方法13-19
  • 2.1.1 闪锌矿材料的晶体结构13-15
  • 2.1.2 超晶格材料简介15-17
  • 2.1.3 利用数组产生超晶格机构17-19
  • 2.2 第一性原理计算超晶格19-24
  • 2.2.1 结构优化20-21
  • 2.2.2 PBE和LDA赝势21-22
  • 2.2.3 Hartree-Fock理论和混合交换相互作用函数22-24
  • 2.3 小结24-25
  • 3 闪锌矿GaSb,ZnTe和GaSb/ZnTe超晶格的带隙25-30
  • 3.1 闪锌矿材料GaSb和ZnTe带隙计算分析25-26
  • 3.2 GaSb/ZnTe超晶格的带隙计算分析26-29
  • 3.3 小结29-30
  • 4 GaSb/ZnTe超晶格的基本光学性质研究30-43
  • 4.1 GaSb/ZnTe超晶格的跃迁矩阵元30-33
  • 4.2 介电函数33-35
  • 4.3 光吸收和光反射系数35-37
  • 4.4 可见光吸收效率37-41
  • 4.4.1 太阳能电池光能转换的极限效率曲线(Shocldey-Queisser)38-39
  • 4.4.2 可见光吸收的极限效率(SLME)39-41
  • 4.5 小结41-43
  • 5 GaSb/ZnTe超晶格结构筛选43-48
  • 5.1 合成能43
  • 5.2 结构筛选的基本标准43-45
  • 5.3 小结45-48
  • 6 GaSb/ZnTe超晶格材料的基本应用48-52
  • 6.1 太阳能电池48-50
  • 6.2 LED发光50-51
  • 6.3 小结51-52
  • 7 结论与展望52-54
  • 7.1 主要结论52-53
  • 7.2 后续研究及展望53-54
  • 致谢54-55
  • 参考文献55-61
  • 附录61
  • A 作者在攻读硕士期间论文目录61

【相似文献】

中国期刊全文数据库 前10条

1 贾宝申;张学锋;申岩;孟凡伟;赵业权;刘德安;;介电超晶格结构极化设备的研究[J];人工晶体学报;2007年04期

2 怀超玺;;浅析超晶格结构增强掺杂效果的机理[J];中国新技术新产品;2009年09期

3 郭永,顾秉林;超晶格结构中共振劈裂的普遍性[J];物理学报;1999年09期

4 林鸿溢;超晶格[J];现代物理知识;1999年02期

5 戴瑛,刘东红,范一平;半导体应变超晶格及其应用[J];山东师大学报(自然科学版);1995年04期

6 包定华,张良莹,姚熹;介电多层膜与人工介电超晶格的研究[J];压电与声光;1997年05期

7 王迅;金属超晶格[J];物理;1987年10期

8 孙兆伟;张兴丽;;硅锗超晶格结构热导率的分子动力学模拟[J];哈尔滨工业大学学报;2011年07期

9 Jianjun He,Jacques Sapriel,陈焕林;超晶格中的谐振声光互作用[J];压电与声光;1990年04期

10 陈震;杨决宽;庄苹;陈敏华;朱健;陈云飞;;InGaAs/InGaAsP超晶格薄膜导热系数测试[J];科学通报;2006年13期

中国重要会议论文全文数据库 前2条

1 王珂;李炜坤;朱锦涛;;超分子诱导纳米粒子有序组装成超晶格结构[A];中国化学会第29届学术年会摘要集——第33分会:纳米材料合成与组装[C];2014年

2 熊焱松;唐智勇;;阴离子对Cu_2S超晶格结构形成的影响[A];第十六届全国晶体生长与材料学术会议论文集-08纳米晶体及其表征[C];2012年

中国博士学位论文全文数据库 前2条

1 王长;太赫兹场和磁场作用下超晶格非线性动力学研究[D];中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所);2007年

2 房丹;GaSb薄膜及其超晶格结构的分子束外延生长与物性研究[D];长春理工大学;2014年

中国硕士学位论文全文数据库 前10条

1 付言明;超晶格结构相变及压电特性的第一性原理研究[D];哈尔滨工业大学;2016年

2 黄江龙;闪锌矿(GaSb)_m(ZnTe)_n超晶格光学性质的研究[D];重庆大学;2016年

3 李华;超晶格材料的子带结构[D];山东大学;2006年

4 卢苇;铁电超晶格的横场伊辛模型理论与模拟计算[D];四川大学;2005年

5 张屿;InAs/GaSb超晶格结构制备及性质研究[D];长春理工大学;2014年

6 周明帅;光学超晶格中特殊光学功能的理论研究[D];南京大学;2012年

7 唐晗;介电超晶格纳米复合结构光学表面波特性及制备工艺[D];南京大学;2013年

8 贾志宏;应变条件下铁电超晶格结构压电特性的第一性原理研究[D];哈尔滨工业大学;2014年

9 潘红雅;半导体超晶格的X射线双晶衍射研究[D];长春理工大学;2007年

10 彭现科;超晶格中一些动力学及输运问题的理论研究[D];中国工程物理研究院;2006年



本文编号:1048590

资料下载
论文发表

本文链接:https://www.wllwen.com/kejilunwen/huaxue/1048590.html


Copyright(c)文论论文网All Rights Reserved | 网站地图 |

版权申明:资料由用户6a23f***提供,本站仅收录摘要或目录,作者需要删除请E-mail邮箱bigeng88@qq.com