光学浮区法生长掺锗氧化镓单晶及其性质研究

发布时间：2017-11-10 10:40

  本文关键词：光学浮区法生长掺锗氧化镓单晶及其性质研究

  更多相关文章： Ge∶β-GaO单晶 晶体生长 光学浮区法 电导率

【摘要】：采用光学浮区法生长了尺寸鐖8 mm×40 mm的Ge∶β-Ga_2O_3单晶。XRD物相分析表明Ge∶β-Ga_2O_3单晶仍属于单斜晶系。为对其内部缺陷进行表征,进行了腐蚀实验,在光学显微镜下观察到缺陷密度为6×10~4/cm~2。光学测试表明,与纯单晶相比,Ge∶β-Ga_2O_3单晶在红外波段存在明显吸收,只有位于蓝光区域的两个荧光峰,抑制了紫外与绿光波段的发光。电学性能测试得出,Ge∶β-Ga_2O_3单晶的电导率在10-3量级,说明掺杂Ge4+对β-Ga_2O_3单晶的电学性能的确有改善。
【作者单位】： 中国科学院上海硅酸盐研究所;同济大学物理科学与工程学院;上海蓝宝石单晶工程技术研究中心(筹);
【基金】：国家自然科学基金(91333106) 上海科委科技攻关(13521102700) 上海蓝宝石单晶工程技术研究中心(筹)(14DZ2252500)
【分类号】：O78
【正文快照】： (Received 29 February 2016,accepted 2 April 2016)1引言透明导电材料由于具有室温导电和可见光范围内透光的特性愈来愈受到人们的关注。常见的透明导电氧化物(TCO),主要包括[1]:In2O3∶Sn(ITO),Zn O∶Ga,Mg In2O4和Zn Ga2O4,且易被广泛应用在透明电极,太阳能电池和触摸屏等

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本文编号：1166310