金属氧化物与现代微电子学——过渡金属前体化合物及转化为材料的化学过程（英文）

发布时间：2018-03-14 11:05

  本文选题：金属氧化物　切入点：栅极电介质材料　出处：《无机化学学报》2017年11期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：金属氧化物薄膜如HfO_2(被称为高k电介质)是现代微电子器件的关键组件,广泛用于计算机(平板电脑,笔记本电脑和台式机)、智能电话、智能电视、汽车和医疗设备中。具有大介电常数(k)的金属氧化物已经取代了介电常数小的SiO_2(k=3.9),从而使得微电子元件进一步小型化。过渡金属化合物在化学气相沉积(CVD)和原子层沉积(ALD)中被广泛用作前体,通过与O2、H_2O或O_3的反应生成金属氧化物薄膜。微电子金属氧化物膜是纳米材料最广泛应用的一个领域。本文概观该领域的最新进展,包括我们对d0过渡金属配合物与O_2反应的研究。
[Abstract]:Metal oxide thin films such as HfO2s (known as high k dielectrics) are key components of modern microelectronic devices and are widely used in computers (tablets, laptops and desktops, smart phones, smart televisions, etc.). In motor vehicles and medical equipment, metal oxides with large dielectric constants have replaced the SiO2k / 3. 9 of low dielectric constant, thereby further miniaturizing microelectronic components. Transition Metal compounds in Chemical Vapor deposition (CVD) and Atomic layer. ALD) is widely used as a precursor. Metal oxide films are formed by reaction with O _ 2H _ 2O or O _ S _ 3. Microelectronic metal oxide films are one of the most widely used nanomaterials. The reaction of D _ 0 transition metal complexes with O _ 2 was studied.
【作者单位】： 田纳西大学化学系;
【基金】：美国国家科学基金会(No.CHE-1633870)资助项目
【分类号】：O641.4

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