氧化石墨烯与水溶性酞菁铜的表面增强拉曼散射光谱特性研究

发布时间：2018-03-14 23:12

  本文选题：表面增强拉曼散射　切入点：氧化石墨烯　出处：《光谱学与光谱分析》2017年09期 　论文类型：期刊论文

【摘要】：采用氧化石墨烯(GO)作为表面增强拉曼散射的基底,水溶性酞菁铜(TSCuPc)作为探针分子,实验探究了氧化石墨烯薄膜的层数和TSCuPc薄膜的厚度对拉曼散射增强的影响。首先配制了不同浓度的GO溶液,利用旋涂法在玻璃基底上制备了不同层数的GO膜,然后通过调节TSCuPc薄膜的旋涂转速,制备了GO和TSCuPc的复合薄膜。实验结果表明,当增加GO薄膜层数时,由GO和TSCuPc产生的π—π共轭所感应的分子极化率和由GO含氧官能团感应的局域电场均增大,因此TSCuPc分子的拉曼强度增大,且随着层数的增加,增强呈现饱和趋势;而随着TSCuPc薄膜厚度的增加,由于其自身分子间也存在π—π共轭,TSCuPc分子的拉曼光谱强度呈近似线性增加,且由TSCuPc薄膜厚度引起的首层效应并不是很明显。选用的可以溶液法成膜的TSCuPc分子,通常被用作有机光电子器件的空穴注入材料,研究GO与TSCuPc的表面增强拉曼光谱特性,为优化器件参数以提高有机光电子器件的电荷转移效率等性能具有重要的意义。
[Abstract]:Graphene oxide (GOO) was used as the substrate of surface-enhanced Raman scattering and water-soluble copper phthalocyanine (TSCuPc) was used as the probe molecule. The effects of the number of layers of graphene oxide film and the thickness of TSCuPc film on Raman scattering enhancement were investigated. Firstly, go films with different concentrations were prepared on glass substrate by spin coating method. Then the composite films of go and TSCuPc were prepared by adjusting the rotation speed of TSCuPc thin films. The experimental results showed that when the number of go thin films was increased, The molecular polarizability induced by 蟺-蟺 conjugation produced by go and TSCuPc and the local electric field induced by go oxygen functional group are both increased, so the Raman intensity of TSCuPc increases and increases with the increase of the number of layers. However, with the increase of the thickness of TSCuPc films, the Raman spectra of 蟺-蟺 conjugated TSCuPc molecules increase linearly because of the existence of 蟺-蟺 conjugated TSCuPc molecules. The first layer effect caused by the thickness of TSCuPc thin films is not obvious. The TSCuPc molecules which can be formed by solution method are usually used as hole injection materials for organic optoelectronic devices. The surface enhanced Raman spectra of go and TSCuPc are studied. It is of great significance to optimize the device parameters to improve the charge transfer efficiency of organic optoelectronic devices.
【作者单位】： 光电技术与系统教育部重点实验室重庆大学;重庆师范大学物理与电子工程学院;
【基金】：中央高校基本科研业务费(106112015CDJXY120011)资助
【分类号】：O657.37;TB383.2

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本文编号：1613363