硅纳米晶体的低温共晶合金化制作及其表征

发布时间：2018-05-24 07:48

  本文选题：硅纳米晶体 + 共晶点　； 参考：《光散射学报》2017年04期

【摘要】：利用Au/Sb和Au/Si共晶点温度较低的特点,通过在~400℃合金化的方法,在硅片表面实现了掺Sb纳米晶体的制作。扫描电子显微镜观察到了Au/Si合金化反应形成的倒金字塔形蚀坑以及纳米结构的存在,拉曼散射光谱证实这些结构主要是纳米尺度的晶体,二次离子质谱表明Sb在Si中的掺杂浓度大于2×10~(18) cm~(-3),超过了Sb在体晶硅中的固溶度。该纳米晶体的制作方法简单易行,热预算较低,和其他微纳器件制作工艺的兼容性较好。
[Abstract]:Based on the low temperature of Au/Sb and Au/Si eutectic point, SB doped nanocrystals were fabricated on the surface of silicon wafer by alloying at 400 鈩，

本文编号：1928270