含氢硅油制备SiC晶须的研究

发布时间：2019-03-09 18:45

【摘要】：以高含氢硅油为原料,在石墨基体上生长出SiC晶须。主要研究石墨基体的表面状态和加热温度对SiC晶须生长的影响,探究SiC晶须形成过程。影响SiC晶须形核和生长的主要因素为热处理温度,随着热处理温度的升高,SiC晶须的结晶产量也相应增高。石墨基体的表面状态对SiC晶须的形成也有一定的影响,随着石墨基体缺陷提供形核点的增多,SiC晶须的结晶产量提高,并且出现相互搭接的现象。SiC晶须的形成过程分为形核和生长两个部分,低温形核,高温生长,遵循VLS(气-液-固)生长机理。
[Abstract]:SiC whiskers were grown on graphite matrix with high hydrogen content silicone oil as raw material. The effects of surface state of graphite matrix and heating temperature on the growth of SiC whiskers were studied, and the formation process of SiC whiskers was investigated. The main factors affecting the nucleation and growth of SiC whiskers are heat treatment temperature, and the crystallization yield of SiC whiskers increases with the increase of heat treatment temperature. The surface state of graphite matrix also has a certain effect on the formation of SiC whiskers. With the increase of graphite matrix defects providing nucleation points, the crystallization yield of SiC whiskers increases. The formation process of sic whiskers is divided into two parts: nucleation and growth. Nucleation at low temperature and growth at high temperature follow the mechanism of VLS (gas-liquid-solid) growth.
【作者单位】： 华北理工大学材料科学与工程学院;河北省无机非金属材料重点实验室;华北理工大学建筑工程学院;
【基金】：河北省自然科学基金青年基金(E2016209327) 华北理工大学大学生创新创业训练计划项目(X2016165) 河北省科技计划项目(16211505)
【分类号】：O613.72;O784

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本文编号：2437753