向列相液晶挠曲电效应和挠曲电系数的研究
【图文】:
第 1 章 绪论5图1.2 锲形和香蕉形液晶分子指向矢形变引起的极化如果液晶是在外电场作用下发生变形,,挠曲电效应引起的自由能密度可以表示为1 3121[ ]2flexfe e ( ) ( ) P En n n n E(1-5)在外加电场作用下,需要考虑挠曲电效应时,液晶的自由能密度包含液晶的弹性项、介电项和挠曲电项,即totalelasdielflexf f f f(1-6)
图 2.1 液晶中几种典型强度的向错如果液晶盒的取向层经过定向摩擦,液晶指向矢就会沿取向层表面获得沿面排列的取向,这种情况下会出现另一种黑刷条纹,并呈现出成对且近乎平行的纹影织构。在正交偏振片下观察,可以发现有一条清楚的黑线将各个向错连接起来,这样的织构是由于液晶中的反转壁引起的。反转壁垂直于液晶盒基板的平面,向错会在反转壁中出现。基于液晶材料的特性,其内的缺陷在很多物理过程中具有重要作用,比如液晶的光学、微纳米加工、流体动力学以及材料自组装等领域[70],因此缺陷是液晶研究中的一个重要方向。2.2 反转壁中±1 缺陷的实验结果2006 年 P. Kumar 等人在弱锚定边界条件的平行排列液晶盒上施加直流电场,液晶盒反转壁中+1 和 1 缺陷周围指向矢的取向发生了变化[33]。
【学位授予单位】:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
【学位级别】:博士
【学位授予年份】:2017
【分类号】:O753.2
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本文编号:2522457
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