金属硫化物基和碳氮化合物在环境和超级电容器中的应用
【学位单位】:天津大学
【学位级别】:硕士
【学位年份】:2018
【中图分类】:O643.36;O647.3
【部分图文】:
第 1 章 绪论以三嗪环(C3N3环)为结构单元组成;另一种存在形式是 g-C3N4以 3-s-三嗪环(C6N7环)为结构单元组成。Kroke 等人在密度泛函理论(DFT)的基础上对这两种不同的单元结构进行理论计算,结果显示结构单元为 3-s-三嗪环(C6N7环)的 g-C3N4稳定性更好。因此,科学界一致认可了 g-C3N4的基本结构单元为 3-s-三嗪环(C6N7环)这一理论。
第 2 章 三维花状 Cu2MoS4/g-C3N4复合材料的合成及其对罗丹明 B 的吸附Cu2MoS4-3/g-C3N4复合物的表面形态。如图 2-3 所示,纯 g-C3N4(图 2-3a)是以纳米片的形式存在,图 2-3b 中观察到的纯 Cu2MoS4是由多层片层堆叠成的厚块。然而,当引入一定量的 g-C3N4时,得到的 Cu2MoS4/g-C3N4复合材料中的 Cu2MoS4显示出三维花状结构(如图 2-3c 和 d 所示)。花状结构主要由 Cu2MoS4纳米片构成,它们彼此连接并具有 300-500 nm 的直径。这种花状形态可能是由于 g-C3N4诱导 Cu2MoS4纳米片的自组装形成的。
图 2-4 花状 Cu2MoS4-3/g-C3N4复合材料(a)和纯 Cu2MoS4(b)的 TEM 图以及花状Cu2MoS4-3/g-C3N4复合材料的 EDS 图(c)Fig.2-4 TEM images of flower-like Cu2MoS4-3/g-C3N4composite (a), pure Cu2MoS4(b), andEDS image of flower-like Cu2MoS4-3/g-C3N4composite (c)采用 N2吸附-脱附等温线分析法测定了 g-C3N4、花状 Cu2MoS4-3/g-C3N4复材料和Cu2MoS4的N2吸附-解吸等温线。并根据Brunauer-Emmett-Teller(BET)法计算所有制备材料的比表面积。如图2-5所示,所有的复合材料都比纯g-C3N4 Cu2MoS4表现出更高的 N2吸附量。花状 Cu2MoS4-2/g-C3N4、Cu2MoS4-3/g-C3N4 Cu2MoS4-4/g-C3N4复合材料、纯 g-C3N4和 Cu2MoS4的比表面积分别为 9.42、0.12、15.90、9.22 和 7.8 m2·g-1。显然,花状 Cu2MoS4-3/g-C3N4复合材料的比表积最大,这可能是由于其呈现出较好的花状结构。吸附材料的比表面积越高就有利于 RhB 分子在其进行吸附。
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本文编号:2858227
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